[发明专利]高度反射倒装芯片LED管芯有效
申请号: | 201480040730.2 | 申请日: | 2014-07-02 |
公开(公告)号: | CN105378951B | 公开(公告)日: | 2019-11-05 |
发明(设计)人: | T.洛佩兹;K-H.H.蔡 | 申请(专利权)人: | 亮锐控股有限公司 |
主分类号: | H01L33/20 | 分类号: | H01L33/20;H01L33/40;H01L33/46;H01L33/38;H01L33/42 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 江鹏飞;景军平 |
地址: | 荷兰*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | LED管芯(40)包括外延生长在透明生长衬底(46)的第一表面之上的N型层(18)、P型层(22)和有源层(20)。光通过与第一表面相对的衬底的第二表面发射并且通过磷光体层(30)波长转换。在中心区域(42)中并且沿管芯的边缘(44)蚀刻开口(42,44)以暴露衬底(46)的第一表面。诸如银之类的高度反射金属(50)沉积在开口中并且与金属P接触件绝缘。反射金属可以通过沿每一个开口的内部边缘电气连接到N型层的所暴露侧面来传导用于N型层的电流。反射金属反射由磷光体层发射的向下的光以改进效率。由反射金属提供的反射区域可以形成管芯区域的10%‑50%。 | ||
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【主权项】:
1.一种发光二极管(LED)管芯结构,包括:包含N型层、P型层、发射光的有源层、P接触件和N接触件的LED半导体层;具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的生长衬底;N型层、P型层和有源层生长在第一表面上;N型层、P型层和有源层布置成使得由有源层生成的光的至少部分进入衬底的第一表面并且通过衬底的第二表面离开;叠覆衬底的第二表面的波长转换层;LED半导体层具有分布在管芯的中心部分周围的一个或多个开口并且至少一个开口暴露衬底的第一表面;以及沉积在一个或多个开口中并且覆盖衬底的第一表面的至少部分以便反射来自波长转换层的光的反射材料,其中,相比于所述N接触件而言,所述反射材料具有针对从所述波长转换层发射的光的至少一些波长的更大的反射率,并且其中,沿LED管芯的中心部分的开口形成十字形状。
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