[发明专利]高度反射倒装芯片LED管芯

权利要求书

1.一种发光二极管（LED）管芯结构，包括：

包含N型层、P型层、发射光的有源层、P接触件和N接触件的LED半导体层；

具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的生长衬底；

N型层、P型层和有源层生长在第一表面上；

N型层、P型层和有源层布置成使得由有源层生成的光的至少部分进入衬底的第一表面并且通过衬底的第二表面离开；

叠覆衬底的第二表面的波长转换层；

LED半导体层具有分布在管芯的中心部分周围的一个或多个开口并且至少一个开口暴露衬底的第一表面；以及

沉积在一个或多个开口中并且覆盖衬底的第一表面的至少部分以便反射来自波长转换层的光的反射材料，

其中，相比于所述N接触件而言，所述反射材料具有针对从所述波长转换层发射的光的至少一些波长的更大的反射率，并且

其中，沿LED管芯的中心部分的开口形成十字形状。

2.权利要求1的结构，其中反射材料是直接接触衬底的金属。

3.权利要求2的结构，其中反射材料传导用于N型层的电流。

4.权利要求2的结构，其中反射材料与N型层电气绝缘。

5.权利要求1的结构，还包括沿LED管芯的边缘的一个或多个开口。

6.权利要求1的结构，其中一个或多个开口还包括沿LED管芯的边缘的开口，结构还包括沿开口的内边缘但是不在开口的中心区域中的反射材料与N型层之间的连续电气接触区域，以用于将反射材料电气连接到N型层。

7.权利要求1的结构，其中反射材料包括Ag。

8.权利要求1的结构，其中反射材料是电气接触N型层的第一金属层，结构还包括电气接触P型层的第二金属层，其中第一金属层和第二金属层在LED管芯的底表面上的阳极和阴极电极中终止。

9.权利要求1的结构，其中波长转换层是还形成在衬底的侧壁之上的磷光体层。

10.权利要求1的结构，还包括形成在衬底的侧壁之上的反射体。

11.权利要求1的结构，其中反射材料包括形成分布式布拉格反射体的电介质叠层。

12.权利要求1的结构，还包括衬底与反射材料之间的电介质层。

13.一种发光二极管（LED）管芯结构，包括：

包含N型层、P型层、发射光的有源层、P接触件和N接触件的LED半导体层；

具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的生长衬底；

N型层、P型层和有源层生长在第一表面上；

N型层、P型层和有源层布置成使得由有源层生成的光的至少部分进入衬底的第一表面并且通过衬底的第二表面离开；

叠覆衬底的第二表面的波长转换层；

LED半导体层具有分布在管芯的中心部分周围的一个或多个开口并且至少一个开口暴露N型层；

形成在所暴露的N型层之上的电介质层；以及

沉积在电介质层之上的一个或多个开口中以便反射来自波长转换层的光的反射材料，

其中，相比于所述N接触件而言，所述反射材料具有针对从所述波长转换层发射的光的至少一些波长的更大的反射率，并且

其中，沿LED管芯的中心部分的开口形成十字形状。