[发明专利]具有减少反射的表面特征结构的基板支撑件和用于生产该基板支撑件的制造技术有效
| 申请号： | 201480039732.X | 申请日： | 2014-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN105431934B | 公开（公告）日： | 2019-10-22 |
| 发明（设计）人： | 刘树坤;约瑟夫·M·拉内什;保罗·布里尔哈特;穆罕默德·图格鲁利·萨米尔 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供用于减少处理腔室中的热信号噪声的方法和设备，这些方法和设备使用非接触温度感测装置来测量处理腔室中的部件的温度。在某些实施方式中，用来支撑处理腔室中的基板的基座包括第一表面，所述第一表面包括基板支撑表面；和与所述第一表面相对的第二表面，其中所述第二表面的一部分包括用来吸收入射辐射能量的特征结构。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 减少 反射 表面 特征 结构 支撑 用于 生产 制造 技术 | ||
【主权项】：
1.一种用于在处理腔室中支撑基板的基座，所述基座包括：第一表面，所述第一表面包括基板支撑表面；和与所述第一表面相对的第二表面，其中所述第二表面的一部分包括具有多个间隔开的结构的特征结构以吸收在1.0微米至4.0微米的波长处的入射辐射能量，并且其中所述特征结构形成于由温度传感器观察的所述第二表面的所述部分上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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