[发明专利]具有减少反射的表面特征结构的基板支撑件和用于生产该基板支撑件的制造技术

权利要求书

1.一种用于在处理腔室中支撑基板的基座，所述基座包括：

第一表面，所述第一表面包括基板支撑表面；和

与所述第一表面相对的第二表面，其中所述第二表面的一部分包括具有多个间隔开的结构的特征结构以吸收在1.0微米至4.0微米的波长处的入射辐射能量，并且其中所述特征结构形成于由温度传感器观察的所述第二表面的所述部分上。

2.如权利要求1所述的基座，其中所述特征结构包括纹理化表面。

3.如权利要求2所述的基座，其中所述纹理化表面包括随机分布的高点和低点。

4.如权利要求2所述的基座，其中所述纹理化表面包括周期性结构的图案。

5.如权利要求4所述的基座，其中所述周期性结构的图案包括多个锥形固体，所述锥形固体的顶点几乎设置于同一平面。

6.如权利要求1所述的基座，其中所述特征结构包括多个孔，所述多个孔位于所述第二表面中且部分地穿过所述基座的厚度。

7.如权利要求1所述的基座，其中所述特征结构包括一个或更多个环，所述一个或更多个环中央地定位在所述第二表面上。

8.如权利要求1至7中任一项所述的基座，其中所述基座包括单片碳化硅或以碳化硅涂布的石墨。

9.如权利要求1至7中任一项所述的基座，其中所述特征结构被配置成在3.0微米至3.6微米的波长处吸收入射辐射能量。

10.如权利要求1至7中任一项所述的基座，其中所述第二表面的至少一些不包括所述特征结构。

11.一种基板处理设备，包括：

具有容积的处理腔室；

设置于所述处理腔室中的权利要求1至7中任一项所述的基座；

多个辐射能量源，所述多个辐射能量源用来使用入射辐射能量照射所述第二表面；和

所述温度传感器，所述温度传感器用来检测所述第二表面的所述部分的温度，其中所述温度传感器读取所述基座的所述第二表面在对应于所述特征结构的位置的温度，并且其中所述特征结构比没有所述特征结构的所述基座的表面吸收更多的入射能量。

12.如权利要求11所述的基板处理设备，其中所述特征结构在大约等于所述温度传感器的运作波长的波长处吸收入射能量。

13.如权利要求11所述的基板处理设备，其中所述基座包括单片碳化硅或以碳化硅涂布的石墨。

14.如权利要求11所述的基板处理设备，其中所述特征结构被配置成在3.0微米至3.6微米的波长处吸收入射辐射能量。

15.如权利要求11所述的基板处理设备，其中所述第二表面的至少一些不包括所述特征结构。