[发明专利]使用直写光刻的集成电路制造有效
| 申请号： | 201480038762.9 | 申请日： | 2014-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN105378565B | 公开（公告）日： | 2018-03-27 |
| 发明（设计）人： | 格雷戈里·芒森·耶里克 | 申请（专利权）人： | ARM有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司11258 | 代理人： | 李晓冬 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 使用直写光刻步骤制造集成电路，以在该集成电路内部至少部分地形成至少一层。至少部分地形成的集成电路的性能特性被测量，且随后利用直写光刻步骤应用的布局设计取决于这些性能特征而变化。因此，个别集成电路、集成电路的晶圆或晶圆的批次的性能可被改变。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 光刻 集成电路 制造 | ||
【主权项】：
一种制造具有一个或更多个层的集成电路的方法，其中所述一个或更多个层具有使用直写光刻步骤至少部分地形成的相应布局设计，所述方法包含以下步骤：测量至少部分地形成的集成电路的一个或更多个性能特性；取决于所述一个或更多个性能特性，改变待使用所述直写光刻步骤形成的所述一个或更多个层的至少一层的布局设计，以生成改变的布局设计；以及根据所述改变的布局设计，使用所述直写光刻步骤形成所述一个或更多个层的所述至少一层。
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