[发明专利]半导体基板的制造方法

摘要

本发明涉及半导体基板的制造方法，对于基板表面的平坦化困难的基板也没有导致在接合界面形成氧化膜，并且具有接合强度高的接合面。半导体基板的制造方法具备对支承基板的表面进行改质而形成第一非晶质层并且对半导体的单结晶层的表面进行改质而形成第二非晶质层的非晶质层形成工序。另外，具备使第一非晶质层与第二非晶质层接触的接触工序。另外，具备对第一非晶质层与第二非晶质层接触的状态的支承基板以及单结晶层进行热处理的热处理工序。

主权项

一种半导体基板的制造方法，其特征在于，具备：非晶质层厚度决定工序，在该非晶质层厚度决定工序中，根据半导体的支承基板的表面粗糙度以及单结晶层的表面粗糙度来决定第一非晶质层以及第二非晶质层的厚度；非晶质层形成工序，在该非晶质层形成工序中，对所述支承基板的表面的晶体结构给予损伤而形成所述第一非晶质层，并且对所述半导体的所述单结晶层的表面的晶体结构给予损伤而形成所述第二非晶质层，所述第一非晶质层以及所述第二非晶质层具有由所述厚度决定工序决定的厚度；接触工序，在该接触工序中，使所述第一非晶质层与所述第二非晶质层接触；以及热处理工序，在该热处理工序中，对所述第一非晶质层与所述第二非晶质层接触的状态的所述支承基板以及所述单结晶层进行热处理。