[发明专利]半导体基板的制造方法

权利要求书

1.一种半导体基板的制造方法，其特征在于，具备：

非晶质层厚度决定工序，在该非晶质层厚度决定工序中，根据半导体的支承基板的表面粗糙度以及单结晶层的表面粗糙度来决定第一非晶质层以及第二非晶质层的厚度；

非晶质层形成工序，在该非晶质层形成工序中，对所述支承基板的表面的晶体结构给予损伤而形成所述第一非晶质层，并且对所述半导体的所述单结晶层的表面的晶体结构给予损伤而形成所述第二非晶质层，

所述第一非晶质层以及所述第二非晶质层具有由所述厚度决定工序决定的厚度；

接触工序，在该接触工序中，使所述第一非晶质层与所述第二非晶质层接触；以及

热处理工序，在该热处理工序中，对所述第一非晶质层与所述第二非晶质层接触的状态的所述支承基板以及所述单结晶层进行热处理。

2.根据权利要求1所述的半导体基板的制造方法，其特征在于，

所述单结晶层是单结晶SiC，

所述支承基板是多结晶SiC。

3.根据权利要求2所述的半导体基板的制造方法，其特征在于，

所述第一非晶质层以及所述第二非晶质层含有Si和C。

4.根据权利要求1所述的半导体基板的制造方法，其特征在于，

所述非晶质层形成工序通过以除去存在于所述支承基板的表面以及所述单结晶层的表面的氧化层和吸附层的方式在真空中照射原子能级的粒子来进行，

所述接触工序以使除去了氧化层和吸附层的清洁的面接合的方式在进行了所述非晶质层形成工序的真空中继续进行。

5.根据权利要求4所述的半导体基板的制造方法，其特征在于，

所述原子能级的粒子的照射量根据第一非晶质层以及第二非晶质层的厚度来决定。

6.根据权利要求1所述的半导体基板的制造方法，其特征在于，

所述第一非晶质层的厚度在所述支承基板的表面的算术平均粗糙度的1倍～20倍的范围内，

所述第二非晶质层的厚度在所述单结晶层的表面的算术平均粗糙度的1倍～20倍的范围内。

7.根据权利要求1所述的半导体基板的制造方法，其特征在于，还具备平坦化工序，在该平坦化工序中，通过从所述支承基板的表面机械式地除去微量的切屑而使所述支承基板的表面平坦化，

所述非晶质层形成工序对经所述平坦化工序而平坦化的表面的晶体结构给予损伤而形成所述第一非晶质层。

8.一种半导体基板，其特征在于，具备：

多结晶SiC的第一层；和

配置在所述第一层上的单结晶SiC的第二层，

所述半导体基板按照根据权利要求1～7中任一项所述的制造方法来准备，以及

存在于所述第一层与所述第二层的界面的氧化膜厚不足1原子层。