[发明专利]一种抑制多TFT器件中的泄漏电流的方法和器件

摘要

一种操作器件的技术，所述器件包括：图案化的导体层，界定多个晶体管的源电极电路和漏电极电路；半导体层，设置每个晶体管的在所述源电极电路和所述漏电极电路之间的相应的半导体沟道；以及栅电极电路，与多个晶体管器件的所述半导体沟道重叠，用于使所述半导体沟道在两个或更多个电导级之间切换；其中所述技术包括使用独立于所述栅电极电路的一个或更多个其它导体以电容性地引起所述半导体沟道外的所述半导体层的一个或更多个区域的导电性的降低。

主权项

1.一种操作器件的方法，所述器件包括：图案化的导体层，界定包括晶体管的行和列的晶体管阵列的源电极电路和漏电极电路；半导体层，设置每个晶体管的在源电极电路和漏电极电路之间的相应的半导体沟道，其中所述半导体层形成于位于源电极电路和漏电极电路之间的所有区域之上；以及栅电极电路，与所述晶体管阵列的所述半导体沟道重叠，用于使所述半导体沟道在两个或更多个电导级之间切换；其中所述方法包括使用其它导体层以电容性地引起所述半导体沟道外的所述半导体层的一个或更多个区域的导电性的降低；该其它导体层设置在所述图案化的导体层的与所述栅电极电路相反的一侧，在所述晶体管阵列中的所有所述晶体管上连续，在所述晶体管阵列的每个半导体沟道的位置中界定窗口，并且跨所述晶体管阵列的源电极电路和漏电极电路之间的所述半导体层的除了半导体沟道之外的整个区域地延伸。