[发明专利]具有嵌入在TFT平板中的CMOS传感器的X射线成像器有效
| 申请号: | 201480036132.8 | 申请日: | 2014-03-28 |
| 公开(公告)号: | CN105324683B | 公开(公告)日: | 2018-10-16 |
| 发明(设计)人: | R·韦斯菲尔德;R·科尔贝斯;I·莫洛维;A·甘谷利 | 申请(专利权)人: | 万睿视影像有限公司 |
| 主分类号: | G01T1/16 | 分类号: | G01T1/16;G01T1/20;G01T7/00 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华 |
| 地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | 一种x射线成像设备包括:被配置成由x射线来生成光的闪烁体层、用以检测在闪烁体中生成的光的在闪烁体层的第一表面处的TFT检测器阵列、以及用以检测在闪烁体中生成的光的在闪烁体层的第二表面处的CMOS传感器。 | ||
| 搜索关键词: | 具有 嵌入 tft 平板 中的 cmos 传感器 射线 成像 | ||
【主权项】:
1.一种x射线成像设备,包括:闪烁体层,被配置成由x射线来生成光,所述闪烁体层包括第一表面和第二表面;第一检测器,在所述第一表面处并且被配置成检测在所述闪烁体层中生成的光,所述第一检测器包括多个第一检测像素,所述多个第一检测像素被配置为以第一分辨率生成第一图像;以及第二检测器,在所述第二表面处并且被配置成检测在所述闪烁体层中生成的光,所述第二检测器包括多个第二检测像素,所述多个第二检测像素被配置为以第二分辨率生成第二图像,其中所述第二检测像素不同于所述第一检测像素,并且所述第一图像的所述第一分辨率不同于所述第二图像的所述第二分辨率。
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