[发明专利]具有嵌入在TFT平板中的CMOS传感器的X射线成像器

权利要求书

1.一种x射线成像设备，包括：

闪烁体层，被配置成由x射线来生成光，所述闪烁体层包括第一表面和第二表面；

第一检测器，在所述第一表面处并且被配置成检测在所述闪烁体层中生成的光，所述第一检测器包括多个第一检测像素，所述多个第一检测像素被配置为以第一分辨率生成第一图像；以及

第二检测器，在所述第二表面处并且被配置成检测在所述闪烁体层中生成的光，所述第二检测器包括多个第二检测像素，所述多个第二检测像素被配置为以第二分辨率生成第二图像，其中所述第二检测像素不同于所述第一检测像素，并且所述第一图像的所述第一分辨率不同于所述第二图像的所述第二分辨率。

2.根据权利要求1所述的x射线成像设备，其中所述第一检测器包括TFT检测器阵列，所述TFT检测器阵列包括具有第一像素大小的所述多个第一检测像素，并且所述第二检测器包括CMOS传感器，所述CMOS传感器包括具有小于所述第一像素大小的第二像素大小的所述多个第二检测像素。

3.根据权利要求2所述的x射线成像设备，其中所述第一像素大小是所述第二像素大小的整数倍。

4.根据权利要求3所述的x射线成像设备，其中所述闪烁体层、所述第一检测器和所述第二检测器被布置成处于使得x射线在所述闪烁体层中传播之前穿过所述TFT检测器的配置。

5.根据权利要求4所述的x射线成像设备，其中所述第一检测器包括基板和所述TFT检测器阵列，并且所述第一检测器被布置成使得所述TFT检测器阵列在所述基板与所述闪烁体层之间。

6.根据权利要求5所述的x射线成像设备，其中所述CMOS传感器包括晶片和所述多个第二检测像素，并且所述CMOS传感器被布置成使得所述多个第二检测像素在所述闪烁体层与所述晶片之间。

7.根据权利要求6所述的x射线成像设备，还包括布置在所述闪烁体层与所述CMOS传感器之间的光纤面板(FOFP)。

8.根据权利要求6所述的x射线成像设备，其中所述CMOS传感器的所述晶片在所述晶片的外围附近具有通孔以实现通过所述通孔到所述第二检测像素的电耦合。

9.根据权利要求5所述的x射线成像设备，其中所述CMOS传感器包括晶片和所述多个第二检测像素，并且所述CMOS传感器被布置成使得所述晶片在所述闪烁体层与所述多个第二检测像素之间，使得由所述第二检测像素检测的光穿过所述晶片。

10.根据权利要求3所述的x射线成像设备，其中所述闪烁体层、所述第一检测器和所述第二检测器被布置成处于使得x射线在所述闪烁体层中传播之前穿过所述CMOS传感器的配置。

11.根据权利要求10所述的x射线成像设备，其中所述第一检测器包括基板和所述TFT检测器阵列，并且所述第一检测器被布置成使得TFT检测器阵列在所述闪烁体层与所述基板之间。

12.根据权利要求11所述的x射线成像设备，其中所述CMOS传感器包括晶片和所述多个第二检测像素，并且所述CMOS传感器被布置成使得所述多个第二检测像素在所述闪烁体层与所述晶片之间。

13.根据权利要求12所述的x射线成像设备，其中所述CMOS传感器的所述晶片在所述晶片的外围附近具有通孔以实现通过所述通孔到所述第二检测像素的电耦合。

14.根据权利要求12所述的x射线成像设备，还包括在所述CMOS传感器与所述闪烁体层之间的另外的闪烁体层，所述另外的闪烁体层与所述闪烁体层接触，以在所述闪烁体层与所述第二检测器阵列的外围之间提供空间，使得电连接器能够与所述第二检测器阵列耦合。