[发明专利]对参数追踪的计量系统优化有效
| 申请号: | 201480035612.2 | 申请日: | 2014-05-19 |
| 公开(公告)号: | CN105324839B | 公开(公告)日: | 2018-01-16 |
| 发明(设计)人: | 安德烈·韦尔德曼;安德烈·V·舒杰葛洛夫;格雷戈里·布雷迪;撒迪厄斯·吉拉德·奇乌拉;史帝蓝·潘戴夫;亚历山大·库兹涅佐夫 | 申请(专利权)人: | 科磊股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人: | 张世俊 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | 本文中提出用于评估测量系统通过给定过程窗追踪测量参数的能力的方法及系统。性能评估包含随机扰动、系统扰动或两者以有效地特征化尤其模型误差、计量系统缺陷及校准误差的影响。在一些实例中,计量目标参数被预定为实验设计DOE的部分。比较所述计量目标参数的估计值与已知DOE参数值,以确定特定测量的追踪能力。在一些实例中,所述测量模型通过主分量参数化以减小所述测量模型的自由度的数量。此外,提出用于针对经历过程变化的计量应用优化半导体计量系统的测量能力的示范性方法及系统。 | ||
| 搜索关键词: | 参数 追踪 计量 系统 优化 | ||
【主权项】:
一种用于计量系统的方法,所述方法包括:接收测量模型,所述测量模型表征计量系统对计量目标的测量的响应,其中所述测量模型包含一或多个所关注参数及一或多个系统参数,所述一或多个所关注参数表征所述计量目标,所述一或多个系统参数表征所述计量系统;确定与横跨与所述计量目标相关的所要过程窗的所述一或多个所关注参数中的任何者相关的一组已知值;基于所述测量模型的一组模拟而确定一组经扰动合成测量信号,所述测量模型的一组模拟表征所述计量目标的一组测量,所述一组测量是针对所述一或多个所关注参数中的任何者的所述一组已知值中的每一者及至少一个扰动信号;基于所述组经扰动合成测量信号确定与所述一或多个所关注参数中的每一者相关的估计值;基于与所述一或多个所关注参数中的每一者相关的所述估计值及与所述一或多个所关注参数中的每一者相关的所述已知值确定指示所述计量系统的参数追踪性能的度量;以及将所述度量存储在存储器中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





