[发明专利]半导体用粘接剂无效
| 申请号： | 201480034106.1 | 申请日： | 2014-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN105308730A | 公开（公告）日： | 2016-02-03 |
| 发明（设计）人： | 永田麻衣;竹田幸平;冈山久敏;畠井宗宏 | 申请（专利权）人： | 积水化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;C09J11/06;C09J163/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种可抑制空隙的半导体用粘接剂。本发明的半导体用粘接剂用于具有下述工序的半导体装置的制造方法：工序1，将半导体芯片介由半导体用粘接剂而对位于基板上，该半导体芯片在周缘部、及与该周缘部相比的内侧的半导体芯片面内形成有突起电极，该突起电极具有包含焊料的前端部；工序2，将所述半导体芯片加热至焊料熔点以上的温度而使所述半导体芯片的突起电极与所述基板的电极部熔融接合，并使所述半导体用粘接剂临时粘接；工序3，在加压气氛下加热所述半导体用粘接剂而去除空隙；其中，所述半导体用粘接剂在80～200℃的最低熔融粘度为1000Pa·s以下，通过小泽法求出在260℃下达到反应率40％所需的时间为8秒以上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 用粘接剂 | ||
【主权项】：
一种半导体用粘接剂，其特征在于，其是用于具有下述工序的半导体装置的制造方法的半导体用粘接剂，所述半导体装置的制造方法具有：工序1，将半导体芯片介由半导体用粘接剂而对位于基板上，所述半导体芯片在周缘部、及与该周缘部相比的内侧的半导体芯片面内形成有突起电极，所述突起电极具有包含焊料的前端部；工序2，将所述半导体芯片加热至焊料熔点以上的温度而使所述半导体芯片的突起电极与所述基板的电极部熔融接合，并使所述半导体用粘接剂临时粘接；以及工序3，在加压气氛下加热所述半导体用粘接剂而去除空隙，所述半导体用粘接剂在80～200℃的最低熔融粘度为1000Pa·s以下，通过小泽法求出的在260℃下达到反应率40％所需的时间为8秒以上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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