[发明专利]外延晶片的制造方法

摘要

遵循本发明的外延成长条件的调整方法的特征在于，具备：第1测量工序（S1），测量形成外延膜（12a）之前的晶片（11）的厚度分布；第2测量工序（S3），测量外延成长处理工序（S2）之后且研磨工序（S4）前的外延晶片（10B）的厚度分布及外延膜（12a）的膜厚分布；第3测量工序（S5），测量外延晶片（10C）的厚度分布及外延膜（13a）的膜厚分布；和使用在第1、第2及第3测量工序中测量出的厚度分布及膜厚分布调整外延成长条件的工序（S6）。

主权项

1.一种外延成长条件的调整方法，调整通过外延成长处理工序和研磨处理工序得到外延晶片时的上述外延成长处理工序中的外延成长条件，上述外延成长处理工序是在晶片的表面上形成外延膜的工序，上述研磨处理工序是在该外延成长处理工序后将上述外延膜表面研磨的工序，上述外延成长条件的调整方法的特征在于，具备：第1测量工序，测量形成上述外延膜之前的上述晶片的厚度分布；第2测量工序，测量上述外延成长处理工序之后且上述研磨处理工序前的上述外延晶片的厚度分布及上述外延膜的膜厚分布；第3测量工序，测量上述研磨处理工序之后的上述外延晶片的厚度分布及上述外延膜的膜厚分布；和使用在上述第1、第2及第3测量工序中测量出的上述厚度分布及上述膜厚分布调整上述外延成长条件的工序；使用由上述调整方法调整后的外延成长条件，在与形成上述外延膜前的上述晶片同种的晶片的表面上形成外延膜，在与上述研磨处理工序中的研磨条件相同的研磨条件下，将上述同种的晶片的表面上的上述外延膜表面研磨。