[发明专利]外延晶片的制造方法

权利要求书

1.一种外延成长条件的调整方法，调整通过外延成长处理工序和研磨处理工序得到外延晶片时的上述外延成长处理工序中的外延成长条件，上述外延成长处理工序是在晶片的表面上形成外延膜的工序，上述研磨处理工序是在该外延成长处理工序后将上述外延膜表面研磨的工序，上述外延成长条件的调整方法的特征在于，具备：

第1测量工序，测量形成上述外延膜之前的上述晶片的厚度分布；

第2测量工序，测量上述外延成长处理工序之后且上述研磨处理工序前的上述外延晶片的厚度分布及上述外延膜的膜厚分布；

第3测量工序，测量上述研磨处理工序之后的上述外延晶片的厚度分布及上述外延膜的膜厚分布；和

使用在上述第1、第2及第3测量工序中测量出的上述厚度分布及上述膜厚分布调整上述外延成长条件的工序；

使用由上述调整方法调整后的外延成长条件，在与形成上述外延膜前的上述晶片同种的晶片的表面上形成外延膜，在与上述研磨处理工序中的研磨条件相同的研磨条件下，将上述同种的晶片的表面上的上述外延膜表面研磨。

2.如权利要求1所述的外延成长条件的调整方法，其特征在于，

在上述外延成长条件的调整工序中，

将在上述第2测量工序中测量出的厚度分布与在上述第3测量工序中测量出的厚度分布比较运算，计算利用上述研磨的上述外延晶片的厚度加工余量分布；

将在上述第2测量工序中测量出的膜厚分布与在上述第3测量工序中测量出的膜厚分布比较运算，计算利用上述研磨的上述外延膜的膜厚加工余量分布；

基于上述计算出的上述厚度加工余量分布和上述计算出的上述膜厚加工余量分布，分别计算利用上述研磨的上述外延晶片的外延膜侧的厚度加工余量分布及上述外延晶片的背面侧的厚度加工余量分布；

至少基于利用上述研磨的上述外延晶片的外延膜侧的厚度加工余量分布和形成上述外延膜之前的上述晶片的厚度分布，调整上述外延成长处理工序中的外延成长条件，以便在上述研磨处理工序后得到具有目标厚度分布的外延晶片。

3.如权利要求1或2所述的外延成长条件的调整方法，其特征在于，

在上述外延成长条件的调整工序中，调整上述外延膜的膜厚分布。

4.如权利要求1或2所述的外延成长条件的调整方法，其特征在于，

在上述研磨处理工序中，将上述外延膜表面及上述外延晶片的背面这两面研磨。

5.如权利要求4所述的外延成长条件的调整方法，其特征在于，

将上述两面同时研磨。

6.一种外延晶片的制造方法，其特征在于，

使用由权利要求1～5中任一项所述的调整方法调整后的外延成长条件。

7.如权利要求6所述的外延晶片的制造方法，其特征在于，

上述晶片及上述同种的晶片的外延成长面为（110）面。