[发明专利]晶片载体和使用该晶片载体的外延生长装置有效
| 申请号: | 201480032124.6 | 申请日: | 2014-05-14 |
| 公开(公告)号: | CN105264653B | 公开(公告)日: | 2018-02-16 |
| 发明(设计)人: | 伊藤敏树 | 申请(专利权)人: | 揖斐电株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/205 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人: | 李辉,黄纶伟 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | 提供晶片载体和使用该晶片载体的外延生长装置,能够不容易从与主轴结合的结合部即结合孔产生颗粒,并且即使产生颗粒也不容易扩散且能够容易地去除。晶片载体具有上表面,其具有用于保持晶片的一个以上的腔室;下表面,其在中心具有结合孔,该结合孔用于以能够取下的方式插入旋转主轴的上端;以及外周部,其连接该上表面和该下表面,其中,所述结合孔由从上表面侧朝向下表面侧扩大的锥状的壁面构成,具有贯通孔。 | ||
| 搜索关键词: | 晶片 载体 使用 外延 生长 装置 | ||
【主权项】:
一种晶片载体,其由基材和陶瓷覆膜构成,该基材由石墨构成,且具有:上表面,其具有用于保持晶片的一个以上的腔室;下表面,其在中心具有结合孔,该结合孔用于以能够取下的方式插入旋转主轴的上端;以及外周部,其连接所述上表面和所述下表面,该陶瓷覆膜至少覆盖所述上表面、所述下表面和所述外周部,其特征在于,所述结合孔由从上表面侧朝向下表面侧扩大的锥状的壁面、以及中央部比与所述壁面之间的边界深的底面构成,所述底面具有从与所述壁面之间的边界延伸的锥面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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