[发明专利]晶片载体和使用该晶片载体的外延生长装置

权利要求书

1.一种晶片载体，其由基材和陶瓷覆膜构成，该基材由石墨构成，且具有：上表面，其具有用于保持晶片的一个以上的腔室；下表面，其在中心具有结合孔，该结合孔用于以能够取下的方式插入旋转主轴的上端；以及外周部，其连接所述上表面和所述下表面，该陶瓷覆膜至少覆盖所述上表面、所述下表面和所述外周部，其特征在于，

所述结合孔由从上表面侧朝向下表面侧扩大的锥状的壁面、以及中央部比与所述壁面之间的边界深的底面构成，

所述底面具有从与所述壁面之间的边界延伸的锥面。

2.一种晶片载体，其由基材和陶瓷覆膜构成，该基材由石墨构成，且具有：上表面，其具有用于保持晶片的一个以上的腔室；下表面，其在中心具有结合孔，该结合孔用于以能够取下的方式插入旋转主轴的上端；以及外周部，其连接所述上表面和所述下表面，该陶瓷覆膜至少覆盖所述上表面、所述下表面和所述外周部，其特征在于，

所述结合孔由从上表面侧朝向下表面侧扩大的锥状的壁面、以及中央部比与所述壁面之间的边界深的底面构成，

所述底面是从与所述壁面之间的边界延伸的圆顶状的面。

3.根据权利要求1或2所述的晶片载体，其特征在于，

所述壁面被所述陶瓷覆膜覆盖。

4.根据权利要求3所述的晶片载体，其特征在于，

所述陶瓷覆膜是碳化硅。

5.根据权利要求1或2所述的晶片载体，其特征在于，

由所述石墨构成的基材构成为一体。

6.根据权利要求1或2所述的晶片载体，其特征在于，

在所述外周部形成有具有朝向下侧的保持面的凸缘，

所述陶瓷覆膜形成为，所述保持面处的厚度比所述上表面处的厚度薄。

7.一种外延生长装置，其特征在于，该外延生长装置具有：

权利要求1或2所述的晶片载体；

在上端具有开口部的旋转主轴；

对所述晶片载体进行加热的加热单元；以及

在所述晶片载体的上方配置的原料气体的供给单元，

所述开口部与吸引气体的吸引机构连接。