[发明专利]氧化物烧结体和溅射靶、以及其制造方法

摘要

本发明提供能够抑制结合工序中发生破损的氧化物烧结体、和使用该氧化物烧结体的溅射靶、以及其制造方法。本发明的氧化物烧结体是将氧化铟、氧化镓和氧化锡烧结而得到的氧化物烧结体，氧化物烧结体的相对密度为90％以上、氧化物烧结体的平均晶粒直径为10μm以下，将铟、镓、锡的含量相对于氧化物烧结体中所含全部金属元素的比例(原子％)分别设为[In]、[Ga]、[Sn]时，满足30原子％≤[In]≤50原子％、20原子％≤[Ga]≤30原子％、25原子％≤[Sn]≤45原子％，并且InGaO₃相满足[InGaO₃]≥0.05。

主权项

一种氧化物烧结体，其特征在于，是将氧化铟、氧化镓和氧化锡烧结而得到的氧化物烧结体，其中，所述氧化物烧结体的相对密度为90％以上，所述氧化物烧结体的平均晶粒直径为10μm以下，将铟、镓、锡的含量相对于所述氧化物烧结体中所含除氧以外的全部金属元素的比例(原子％)分别设为[In]、[Ga]、[Sn]时，满足下述式(1)～(3)，并且，对所述氧化物烧结体进行X射线衍射时，InGaO₃相满足下述式(4)，30原子％≤[In]≤50原子％···(1)20原子％≤[Ga]≤30原子％···(2)25原子％≤[Sn]≤45原子％···(3)[InGaO₃]≥0.05···(4)其中，[InGaO₃]＝(I(InGaO₃)/(I(InGaO₃)+I(In₂O₃)+I(SnO₂))式中，I(InGaO₃)、I(In₂O₃)、和I(SnO₂)分别是利用X射线衍射确定的InGaO₃相、In₂O₃相、SnO₂相的衍射强度的测定值。