[发明专利]氧化物烧结体和溅射靶、以及其制造方法

权利要求书

1.一种氧化物烧结体，其特征在于，是将氧化铟、氧化镓和氧化锡烧结而得到的氧化物烧结体，其中，

所述氧化物烧结体的相对密度为90％以上，

所述氧化物烧结体的平均晶粒直径为10μm以下，

将铟、镓、锡的含量相对于所述氧化物烧结体中所含除氧以外的全部金属元素的比例(原子％)分别设为[In]、[Ga]、[Sn]时，满足下述式(1)～(3)，并且，

对所述氧化物烧结体进行X射线衍射时，InGaO₃相满足下述式(4)，

30原子％≤[In]≤50原子％···(1)

20原子％≤[Ga]≤30原子％···(2)

25原子％≤[Sn]≤45原子％···(3)

[InGaO₃]≥0.05···(4)

其中，[InGaO₃]＝(I(InGaO₃)/(I(InGaO₃)+I(In₂O₃)+I(SnO₂))

式中，I(InGaO₃)、I(In₂O₃)、和I(SnO₂)分别是利用X射线衍射确定的InGaO₃相、In₂O₃相、SnO₂相的衍射强度的测定值。

2.如权利要求1所述的氧化物烧结体，其中，所述氧化物烧结体的晶粒直径超过15μm的粗大晶粒的比例为10％以下。

3.如权利要求1或2所述的氧化物烧结体，其中，对所述氧化物烧结体进行X射线衍射时，所述氧化物烧结体不含Ga_3-xn_5+xSn₂O₁₆相。

4.如权利要求1或2所述的氧化物烧结体，其中，对所述氧化物烧结体进行X射线衍射时，所述氧化物烧结体不含(Ga、In)₂O₃相。

5.一种溅射靶，其特征在于，是使用权利要求1或2所述的氧化物烧结体而得到的溅射靶，其电阻率为1Ω·cm以下。

6.一种氧化物烧结体的制造方法，其特征在于，是权利要求1或2所述的氧化物烧结体的制造方法，其中，将氧化铟、氧化镓和氧化锡混合，设置于成形模具后，升温至烧结温度850～1250℃，然后以在该温度域内的保持时间为0.1～5小时、加压压力为59MPa以下进行烧结。

7.如权利要求6所述的氧化物烧结体的制造方法，其中，到所述烧结温度为止的平均升温速度为600℃/hr以下。