[发明专利]用于控制氧的提拉坩埚和相关方法有效

专利信息
申请号: 201480027045.6 申请日: 2014-03-13
公开(公告)号: CN105247114B 公开(公告)日: 2020-06-16
发明(设计)人: T·N·斯瓦米纳坦;S·塞佩达;J·D·希尔克 申请(专利权)人: 各星有限公司
主分类号: C30B15/12 分类号: C30B15/12;C30B29/06
代理公司: 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 代理人: 俞翠华
地址: 中国香港九龙柯士*** 国省代码: 香港;81
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摘要: 用于从熔体生长晶锭的系统包括第一坩埚、第二坩埚和堰体。第一坩埚具有形成用于容纳熔体的外腔室的第一基部和第一侧壁。堰体在第一侧壁内侧的位置处位于第一基部的顶部上,以抑制熔体的从堰体外侧的位置向堰体内侧的位置的运动。第二坩埚确定尺寸成用于安置在外腔室内并具有形成内腔室的第二基部和第二侧壁。还公开了相关方法。
搜索关键词: 用于 控制 坩埚 相关 方法
【主权项】:
一种用于从熔体生长晶锭的系统,所述系统包括:第一坩埚,所述第一坩埚包括形成用于容纳所述熔体的外腔室的第一基部和第一侧壁,所述第一基部具有顶面;堰体,所述堰体在所述第一侧壁内侧的位置处沿着所述第一基部的顶面定位,以抑制所述熔体从所述堰体外侧的位置向所述堰体内侧的位置的运动;和尺寸被确定成用于安置成位于所述第一坩埚的所述外腔室内的第二坩埚,所述第二坩埚具有第二基部和第二侧壁,所述第二基部和所述第二侧壁形成内腔室,所述第二基部通过所述堰体与所述第一基部间隔开,并且所述第二坩埚包括从其中穿过的坩埚通道,以允许位于所述堰体内的熔体运动到所述第二坩埚的所述内腔室中。
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