[发明专利]用于控制氧的提拉坩埚和相关方法

权利要求书

1.一种用于从熔体生长晶锭的系统，所述系统包括：

第一坩埚，所述第一坩埚包括形成用于容纳所述熔体的外腔室的第一基部和第一侧壁，所述第一基部具有顶面；

堰体，所述堰体在所述第一侧壁内侧的位置处沿着所述第一基部的顶面定位，以抑制所述熔体从所述堰体外侧的位置向所述堰体内侧的位置的运动；和

尺寸被确定成用于安置成位于所述第一坩埚的所述外腔室内的第二坩埚，所述第二坩埚具有第二基部和第二侧壁，所述第二基部和所述第二侧壁形成内腔室，所述第二基部通过所述堰体与所述第一基部间隔开，并且所述第二基部包括从其中穿过的坩埚通道，以允许位于所述堰体内的熔体运动到所述第二坩埚的所述内腔室中，所述坩埚通道位于所述堰体内侧，所述堰体连续地围绕所述堰体的周界接触所述第一坩埚的第一基部和/或第二坩埚的第二基部。

2.根据权利要求1所述的系统，还包括直接布置在所述第一坩埚下方的用于向所述第一坩埚和所述第二坩埚供热以维持其中的熔体的加热器。

3.根据权利要求1所述的系统，还包括进料管、传感器和控制器，所述进料管设置成邻近所述第一坩埚以在位于所述第二坩埚的外侧的位置处向所述第一坩埚供给原料材料，所述传感器构造成检测所述熔体的液面高度，所述控制器构造成控制通过所述进料管的原料材料流。

4.根据权利要求1所述的系统，其中，所述堰体围绕所述堰体的周界与所述第一坩埚结合而形成具有两个侧壁和单个基部的组合坩埚。

5.根据权利要求1所述的系统，其中，所述堰体围绕所述堰体的周界与所述第二坩埚的所述第二基部结合。

6.根据权利要求1所述的系统，其中，所述堰体具有延伸穿过其中的堰体通道，以允许所述第一坩埚的所述外腔室中的熔体在所述堰体内运动。

7.根据权利要求6所述的系统，其中，所述堰体通道和穿过所述第二坩埚的所述坩埚通道彼此直径上对置，以提供用于所述熔体的曲折路径。

8.根据权利要求1所述的系统，还包括用于使晶种下降到熔体中和从熔体升出的提拉系统。

9.根据权利要求1所述的系统，还包括位于所述第一坩埚与所述第二坩埚之间的第二堰体，所述第二堰体连续地围绕第二堰体的周界接触第一坩埚的第一基部和/或第二坩埚的第二基部，第二堰体具有与堰体通道和坩埚通道直径上对置的第二堰体通道。

10.一种用于从熔体生长晶锭的系统，所述系统包括：

第一坩埚，所述第一坩埚具有形成用于容纳所述熔体的外腔室的第一基部和第一侧壁；

第二坩埚，所述第二坩埚位于所述第一坩埚的所述外腔室内并且包括尺寸被确定成用于安置在所述第一坩埚的所述外腔室内的第二基部和第二侧壁，所述第二基部和所述第二侧壁形成内腔室，所述第二坩埚包括从所述第二基部中穿过的坩埚通道，以允许所述熔体的在位于所述第二坩埚外侧的区域中的部分运动到所述第二坩埚的所述内腔室中；和

堰体，所述堰体位于所述第一坩埚的所述外腔室内，以抑制所述熔体从所述堰体外侧的位置向所述堰体内侧的位置的运动；所述堰体定位在所述第一基部与所述第二基部之间，以将所述第二基部与所述第一基部间隔开，所述坩埚通道位于所述堰体内侧，所述堰体连续地围绕所述堰体的周界接触所述第一坩埚的第一基部和/或第二坩埚的第二基部。

11.根据权利要求10所述的系统，还包括温度传感器、控制器和多个加热器，所述多个加热器直接布置在所述第一坩埚下方以用于向所述第一坩埚和所述第二坩埚供热以维持其中的熔体，所述温度传感器构造成测量温度，所述控制器构造成独立地控制所述多个加热器中的每一个。