[发明专利]写入预补偿以延长固态存储器寿命的系统和方法在审
| 申请号： | 201480025088.0 | 申请日： | 2014-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN105164754A | 公开（公告）日： | 2015-12-16 |
| 发明（设计）人： | K·S·施特弗;H·李;D·赵;Y·孙 | 申请（专利权）人： | 西部数据技术公司 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;G11C16/04 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘瑜;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了用于非易失性固态存储器的写入预补偿机制。在一个实施例中，编程验证电压电平是从固态存储器的早期生命中的默认电平降低的。随着存储器错误增加超出错误阈值，编程验证电压电平增加一个或多个电压步长。可以执行这样的编程验证电压电平的增加直到达到或超过默认电平。由于在固态存储器设备的早期生命中降低编程验证电压电平，固态存储器经历较少的磨损并且存储器的操作寿命可以得到延长。所公开的写入预补偿机制可以被用于单层单元(SLC)和多层单元(MLC)存储器。 | ||
| 搜索关键词： | 写入 补偿 延长 固态 存储器 寿命 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种固态存储设备，包括：非易失性固态存储器阵列，其包括多个页；以及控制器，其被配置为：在与第一编程状态相关联的第一初始编程验证电压电平，对所述多个页的至少一些单元进行编程，所述第一初始编程验证电压电平低于与所述第一编程状态相关联的第一默认编程验证电压电平；监测所述多个页的错误水平以确定何时已达到阈值错误水平；以及当确定已达到所述阈值错误水平时，在与所述第一编程状态相关联的第一经调节的编程验证电压电平，对所述多个页的至少一些单元进行编程，所述第一经调节的编程验证电压电平高于所述第一初始编程验证电压电平。
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