[发明专利]写入预补偿以延长固态存储器寿命的系统和方法

权利要求书

1.一种固态存储设备，包括：

非易失性固态存储器阵列，其包括多个页；以及

控制器，其被配置为：

在与第一编程状态相关联的第一初始编程验证电压电平，对所述多个页的至少一些单元进行编程，所述第一初始编程验证电压电平低于与所述第一编程状态相关联的第一默认编程验证电压电平；

监测所述多个页的错误水平以确定何时已达到阈值错误水平；以及

当确定已达到所述阈值错误水平时，在与所述第一编程状态相关联的第一经调节的编程验证电压电平，对所述多个页的至少一些单元进行编程，所述第一经调节的编程验证电压电平高于所述第一初始编程验证电压电平。

2.根据权利要求1所述的固态存储设备，进一步包括：纠错模块，其中，在第一初始编程验证电压电平对至少一些单元进行编程产生在所述纠错模块的容许范围内的数据错误特性。

3.根据权利要求2所述的固态存储设备，其中，所述纠错模块包括LDPC编码器模块和LDPC解码器模块。

4.根据权利要求2所述的固态存储设备，其中，所述阈值错误水平至少部分地基于所述纠错模块的校正能力。

5.根据权利要求1所述的固态存储设备，其中，所述第一经调节的编程验证电压电平比所述第一初始编程验证电压电平高出大约0.2V。

6.根据权利要求1所述的固态存储设备，其中，所述第一经调节的编程验证电压电平低于所述第一默认编程验证电压电平。

7.根据权利要求1所述的固态存储设备，其中，所述控制器还被配置为：

在与第二编程状态相关联的第二初始编程验证电压电平，对所述多个页的至少一些单元进行编程，所述第二初始编程验证电压电平低于与所述第二编程状态相关联的第二默认编程验证电压电平；以及

当确定已达到所述阈值错误水平时，在与所述第二编程状态相关联的第二经调节的编程验证电压电平，对所述多个页的至少一些单元进行编程，所述第二经调节的编程验证电压电平高于所述第二初始编程验证电压电平。

8.根据权利要求7所述的固态存储设备，其中，所述第二经调节的编程验证电压电平比所述第二初始编程验证电压电平高出大约0.4V。

9.根据权利要求1所述的固态存储设备，其中，所述多个页的电压状态分布包括：当使用所述第一初始编程验证电压电平对所述页进行编程并且所述页经历了少于约100次编程/擦除周期时的重叠状态。

10.根据权利要求1所述的固态存储设备，其中，所述控制器还被配置为：

当所述控制器在所述第一经调节的编程验证电压电平对至少一些单元进行编程之后达到所述阈值错误水平时，在与所述第一编程状态相关联的下一个经调节的编程验证电压电平对至少一些单元进行编程，所述下一个经调节的编程验证电压电平高于所述第一经调节的编程验证电压电平。

11.根据权利要求10所述的固态存储设备，其中，所述下一个经调节的编程验证电压电平低于所述第一默认编程验证电压电平。

12.一种在包括非易失性固态存储器阵列和控制器的固态存储设备中对存储器单元进行编程的方法，所述方法包括：

在与第一编程状态相关联的第一初始编程验证电压电平，对非易失性存储器阵列的多个页的至少一些单元进行编程，所述第一初始编程验证电压电平低于与所述第一编程状态相关联的第一默认编程验证电压电平；

监测所述多个页的错误水平以确定何时已达到阈值错误水平；以及

当确定已达到所述阈值错误水平时，在与所述第一编程状态相关联的第一经调节的编程验证电压电平，对所述多个页的至少一些单元进行编程，所述第一经调节的编程验证电压电平高于所述第一初始编程验证电压电平，

其中，所述方法是由所述控制器执行的。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述第一经调节的编程验证电压电平比所述第一初始编程验证电压电平高出大约0.2V。

14.根据权利要求12所述的方法，其中，所述第一经调节的编程验证电压电平低于所述第一默认编程验证电压电平。