[发明专利]半导体发光组件及其制造方法在审
| 申请号： | 201480020742.9 | 申请日： | 2014-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN105122477A | 公开（公告）日： | 2015-12-02 |
| 发明（设计）人： | 酒井健滋;池田淳 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/30 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 谢顺星;张晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种依次具备导电性支持基板、金属层及发光部的半导体发光组件，该半导体发光组件的特征在于，所述发光部依次包括n型电流扩散层、n型被覆层、活性层、p型被覆层及p型电流扩散层；所述发光部的各层由AlGaInP类半导体构成；所述半导体发光组件还具备：第一欧姆细线电极，其局部地覆盖所述p型电流扩散层；第二欧姆细线电极，其局部地设置在所述金属层与所述n型电流扩散层之间；从顶面观察，所述第一欧姆细线电极与所述第二欧姆细线电极被配置在相互不重叠的位置，所述n型电流扩散层与所述n型被覆层晶格匹配。由此，提供一种在P侧朝上的金属反射型发光组件中，抑制半导体层厚度的增加并改善局部电流集中的高亮度半导体发光组件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 组件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体发光组件，其具备导电性支持基板、设置在该导电性支持基板上的金属层及设置在该金属层上的发光部，其特征在于，所述发光部依次包括n型电流扩散层、n型被覆层、产生光的活性层、p型被覆层及p型电流扩散层，所述发光部的各层由AlGaInP类半导体构成；所述半导体发光组件还具备︰第一欧姆细线电极，其局部地覆盖所述p型电流扩散层；第二欧姆细线电极，其局部地设置于所述金属层与所述n型电流扩散层之间；从顶面观察，所述第一欧姆细线电极与所述第二欧姆细线电极被配置在相互不重叠的位置，所述n型电流扩散层是与所述n型被覆层晶格匹配的半导体层。
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