[发明专利]半导体发光组件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明是涉及P侧朝上(Pサイドアップ)的金属反射型发光组件及其制造方法，尤其涉及具有高发光效率的发光组件及其制造方法。

背景技术

在现有的AlGaInP(磷化铝镓铟)类LED(light-emittingdiode；发光二极管)构造中，发光部一般是形成在GaAs(砷化镓)基板上，组件内部的发光会被该GaAs基板吸收，因此光取出效率将恶化。因此，为了得到一种进一步提高光取出效率也就是所谓的高亮度的组件，提出了一种发光组件，其具有将从发光部朝向基板侧的光高效率地取出的结构。

作为一种方法，有在去除GaAs基板后，在发光部的已去除GaAs基板后的面的那侧，经由光反射金属层来粘合导电性支持基板的方法(以下称为“金属反射型”)。

另外，关于金属反射型的发光组件，公开了一种得到高亮度发光组件的技术。

在专利文献1中，公开了一种技术，该技术将P电极(连接至p型电流扩散层的电极)与N电极(连接至n型电流扩散层的电极)配置在相互不重叠的位置，通过谋求P电极和N电极的配置优化，将光高效率良好地向外部取出，提高光效率。

并且，在专利文献2中，公开了一种技术，该技术通过在四元系的DH(doubleheterojunction；双异质)构造层上，设置由具有50μm以上厚度的透明导电性材料所构成的窗层，使电流扩散并使光取出效率提高，以提高发光效率。

另外，在专利文献3中，公开了一种技术，该技术通过在除光取出侧的电极正下方以外的部分形成接触部(电极)，谋求使所产生的光的取出效率提高。

如上所述，对制作高亮度发光组件而言，要提高发光部的发光效率是当然的，而依据组件内部的光吸收以及发光部与电极的相对位置关系来实现向外部的有效光取出是重要的。

另一方面，在光取出面为n型(以下称为“N侧朝上”)的发光组件的情况下，在作为发光组件来动作时而被施加电压时，由于将发光组件芯片封入封装体时所混入的水分，Ag(银)会从用于粘接发光组件芯片与底座的银胶(Agペースト)，向构成发光部的活性层扩散，而使发光组件的寿命特性变得容易恶化，因此有无法得到高可靠性这样的问题。

即，对实现高可靠性而言，需要使用光取出面为p型(以下称为“P侧朝上”)的发光组件。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利公开2007-258326号公报

专利文献2：日本专利公开2008-166678号公报

专利文献3：日本专利公开2011-129724号公报

发明内容

(一)要解决的技术问题

如上所述，对实现高可靠性而言，需要使用P侧朝上的发光组件，但在制作P侧朝上的金属反射型发光组件的情况下，相较于N侧朝上，则难以得到高亮度的发光组件。

这是因为，相较于n型AlGaInP类半导体层，p型AlGaInP类半导体层的电传导率小，电流难以扩散，故在光取出面的电极正下方的活性层会局部发光，而无法实现向外部取出有效的光。

作为对策，可利用电极配置的优化和厚膜的窗层(或电流扩散层)等。

然而，发明人等发现有以下问题点。

即，在如专利文献1所公开的发光组件的情况下，虽然通过将P电极和N电极以配置在相互不重叠位置的方式来优化，但通过有机金属气相外延法(metalorganicvaporphaseepitaxy，以下称为“MOVPE法”)来形成发光部时，由于是在n型GaAs基板上沉积p型GaP(磷化镓)层(窗层)后，依次沉积p型AlGaInP被覆层(cladlayer)、AlGaInP活性层、n型AlGaInP被覆层，因此晶格不匹配率会变大，无法得到品质优良的结晶，从而存在发光效率降低这样的问题点。

另外，在专利文献2所公开的发光组件的情况下，由于形成了具有50μm以上厚度的窗层，因此会发生晶圆翘曲，而导致发光组件芯片的制造工序中成品率降低，并且由于使半导体层(窗层)增厚，会增加制造时间和材料费用等，因此也存在增加制造成本这样的问题。

并且，专利文献3所公开的发光组件是以N侧朝上来制作，通过反转以MOVPE法形成发光部的导电型的极性(n/p)，可得到P侧朝上的发光组件，但仅单纯反转导电型的极性时，如上所述，由于在光取出面的p型半导体层中电流会变得难以扩散，因此存在发光效率降低这样的问题点。