[发明专利]图案剥离方法、电子元件及其制造方法有效
申请号: | 201480019824.1 | 申请日: | 2014-04-28 |
公开(公告)号: | CN105103054B | 公开(公告)日: | 2017-03-08 |
发明(设计)人: | 山中司;藤森亨 | 申请(专利权)人: | 富士胶片株式会社 |
主分类号: | G03F7/42 | 分类号: | G03F7/42;G03F7/038;G03F7/039;G03F7/32;H01L21/027 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人: | 杨文娟,臧建明 |
地址: | 日本东京港区*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种图案剥离方法、电子元件及其制造方法。本发明的目的在于提供剥离性优异、且对基板的损伤少的图案剥离方法、包含所述图案剥离方法的电子元件的制造方法及利用所述制造方法而制造的电子元件。本发明的图案剥离方法包括抗蚀剂膜形成步骤,在基板上涂布感光化射线性或感放射线性树脂组合物,而形成抗蚀剂膜;曝光步骤,对所述抗蚀剂膜进行曝光;显影步骤,使用含有有机溶剂的显影液对经曝光的所述抗蚀剂膜进行显影,而形成负型图案;及剥离步骤,使用下述A或B的液体将所述负型图案剥离。A含有亚砜化合物和/或酰胺化合物的液体B含有硫酸与过氧化氢的液体。 | ||
搜索关键词: | 图案 剥离 方法 电子元件 及其 制造 | ||
【主权项】:
一种图案剥离方法,包括:抗蚀剂膜形成步骤,在基板上涂布感光化射线性或感放射线性树脂组合物,而形成抗蚀剂膜;曝光步骤,对所述抗蚀剂膜进行曝光;显影步骤,使用含有有机溶剂的显影液对经曝光的所述抗蚀剂膜进行显影,而形成负型图案;及剥离步骤,使用下述A或B的液体将所述负型图案剥离:A:含有亚砜化合物和/或酰胺化合物的液体、B:含有硫酸与过氧化氢的液体,所述感光化射线性或感放射线性树脂组合物含有由于酸的作用而对含有有机溶剂的显影液的溶解性减少的树脂及通过照射光化射线或放射线而产生酸的化合物,其中,所述由于酸的作用而对含有有机溶剂的显影液的溶解性减少的树脂具有酸分解性基。
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