[发明专利]集成的二极管DAS探测器有效
申请号: | 201480019621.2 | 申请日: | 2014-04-04 |
公开(公告)号: | CN105051900B | 公开(公告)日: | 2018-03-30 |
发明(设计)人: | N.K.劳;J.W.罗斯;C.D.昂格尔;A.伊赫列夫;J.D.肖尔特 | 申请(专利权)人: | 通用电气公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01T1/20 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 姜冰,姜甜 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 改进的成像系统被公开。更确切地,本公开提供了用于成像系统的改进的图像传感器组装件,所述图像传感器组装件具有集成光电探测器阵列,及在相同衬底上制作的它的关联的数据采集电子器件。通过与光电探测器阵列在相同衬底上集成电子器件,这从而减少了制作成本,和减少了互连复杂度。因为光电二极管触点和关联的电子器件在相同衬底/平面上,这从而大体上除去了某些昂贵的/耗时的处理技术。此外,邻近或接近于光电探测器阵列的电子器件的共处提供精细得多的分辨率的探测器组装件,因为电子器件和光电探测阵列间的互连瓶颈被大体上除去/减少。邻近或接近于光电探测器阵列的电子器件的共处还能够实现/帮助可编程像素配置,以用于最佳的图像质量。 | ||
搜索关键词: | 集成 二极管 das 探测器 | ||
【主权项】:
一种图像传感器组装件,包括:衬底;多个光电探测器,安置在所述衬底上,所述多个光电探测器与所述衬底上的数据采集和信号处理电子组件电通信,其中,所述多个光电探测器和所述数据采集和信号处理电子组件设置在所述衬底的同一侧;结构化闪烁体组装件,安置在所述多个光电探测器上;以及准直器组装件,相对于所述多个光电探测器和所述数据采集和信号处理电子组件来放置;其中,所述光电探测器以及所述数据采集和信号处理电子组件的布局以及所述准直器组装件的结构化配置被相对于彼此来限定。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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