[发明专利]集成的二极管DAS探测器有效
申请号: | 201480019621.2 | 申请日: | 2014-04-04 |
公开(公告)号: | CN105051900B | 公开(公告)日: | 2018-03-30 |
发明(设计)人: | N.K.劳;J.W.罗斯;C.D.昂格尔;A.伊赫列夫;J.D.肖尔特 | 申请(专利权)人: | 通用电气公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01T1/20 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 姜冰,姜甜 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成 二极管 das 探测器 | ||
1.一种图像传感器组装件,包括:
衬底;
多个光电探测器,安置在所述衬底上,所述多个光电探测器与所述衬底上的数据采集和信号处理电子组件电通信,其中,所述多个光电探测器和所述数据采集和信号处理电子组件设置在所述衬底的同一侧;
结构化闪烁体组装件,安置在所述多个光电探测器上;以及
准直器组装件,相对于所述多个光电探测器和所述数据采集和信号处理电子组件来放置;
其中,所述光电探测器以及所述数据采集和信号处理电子组件的布局以及所述准直器组装件的结构化配置被相对于彼此来限定。
2.如权利要求1所述的图像传感器组装件,其中,所述准直器组装件的至少部分被放置于所述衬底上的所述数据采集和信号处理电子组件的至少部分上以便为所述数据采集和信号处理电子组件的至少部分屏蔽辐射。
3.如权利要求1所述的图像传感器组装件,其中,所述衬底包括多个凹陷区域,所述结构化闪烁体组装件顺应于所述凹陷区域,所述凹陷区域从所述结构化闪烁体组装件的顶侧到底侧在面积上缩小。
4.如权利要求1所述的图像传感器组装件,被结合到成像系统的探测器中。
5.如权利要求1所述的图像传感器组装件,其中,所述数据采集和信号处理电子组件还包括:对于每一光电探测器的前端电路;以及
后端电路,与所述前端电路电通信;
其中,所述后端电路配置成复用对于每一光电探测器的前端电路的输出信号。
6.如权利要求5所述的图像传感器组装件,其中,所述后端电路配置成顺序地处理所述输出信号。
7.如权利要求5所述的图像传感器组装件,其中,所述后端电路的输出将对于每一光电探测器的前端电路的输出组合至单个通道中。
8.如权利要求1所述的图像传感器组装件,其中,每一光电探测器与能量存储装置电通信,每一能量存储装置与前端电路电通信;以及
其中,所述前端电路顺序地处理来自每一能量存储装置的电荷。
9.如权利要求1所述的图像传感器组装件,其中,一定量的所述光电探测器适配成被选择性地组合以形成一个或更多像素。
10.一种制作图像传感器组装件的方法,包括:
提供衬底;
在所述衬底上安置多个光电探测器;
在所述衬底上位于所述光电探测器的同一侧上集成数据采集和信号处理电子组件,所述数据采集和信号处理电子组件与所述多个光电探测器电通信;
放置结构化的闪烁体组装件在所述多个光电探测器上;以及
相对于所述多个光电探测器以及所述数据采集和信号处理电子组件来放置准直器组装件;
其中,所述光电探测器以及所述数据采集和信号处理电子组件的布局以及所述准直器组装件的结构化配置被相对于彼此来限定。
11.如权利要求10所述的方法,其中,所述准直器组装件的至少部分被放置于所述衬底上的所述数据采集和信号处理电子组件的至少部分上以便为所述数据采集和信号处理电子组件的至少部分屏蔽辐射。
12.如权利要求10所述的方法,其中,所述衬底包括多个凹陷区域,所述结构化闪烁体组装件顺应于所述凹陷区域,所述凹陷区域从所述结构化闪烁体组装件的顶侧到底侧在面积上缩小。
13.如权利要求10所述的方法,还包括将所制作的图像传感器组装件结合至成像系统的探测器组装件中的步骤。
14.如权利要求10所述的方法,其中,所述数据采集和信号处理电子组件包括对于每一光电探测器的前端电路和与所述前端电路电通信的后端电路,以及所述方法还包括配置所述后端电路以复用对于每一光电探测器的前端电路的输出信号。
15.如权利要求10所述的方法,还包括:
在所述衬底上安置多个能量存储装置,每一光电探测器与所述能量存储装置中的一个电通信,每一能量存储装置与前端电路电通信;以及
配置所述前端电路以顺序地处理来自每一能量存储装置的电荷。
16.如权利要求10所述的方法,还包括,选择性地组合一定量的所述光电探测器以形成一个或更多像素。
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