[发明专利]阻气性层压体、电子器件用部件及电子器件有效
| 申请号： | 201480019464.5 | 申请日： | 2014-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN105073406B | 公开（公告）日： | 2017-06-27 |
| 发明（设计）人： | 铃木悠太;岩屋涉;永元公市;近藤健 | 申请（专利权）人： | 琳得科株式会社 |
| 主分类号： | B32B9/00 | 分类号： | B32B9/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 李志强,赵苏林 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明为阻气性层压体、由该阻气性层压体构成的电子器件用部件和具备所述电子器件用部件的电子器件，所述层压体具有基材和阻气性单元，其特征在于，所述阻气性单元含有至少2层无机层，在所述至少2层无机层中，至少1层为氮氧化硅层；所述氮氧化硅层具有厚度为25nm以上，随着相对于层中的厚度方向向基材侧接近，氧元素的存在率减少，氮元素的存在率增加的倾斜组成区域；所述倾斜组成区域的厚度相对于氮氧化硅层整体的厚度的比例为0.15以上。根据本发明，提供具有极高的阻气性和耐弯曲性的阻气性层压体、由该阻气性层压体构成的电子器件用部件和具备所述电子器件用部件的电子器件。 | ||
| 搜索关键词： | 气性 层压 电子器件 部件 | ||
【主权项】：
阻气性层压体，所述层压体具有基材和阻气性单元，其特征在于，所述阻气性单元含有至少2层无机层，在所述至少2层无机层中，至少1层为氮氧化硅层，所述氮氧化硅层具有：厚度为25nm以上，随着相对于层中的厚度方向向基材侧接近，氧元素的存在率减少，氮元素的存在率增加的倾斜组成区域；所述倾斜组成区域的厚度相对于氮氧化硅层整体的厚度的比例为0.15以上，在所述氮氧化硅层的倾斜组成区域中，相对于氧原子、氮原子和硅原子的总量，氧原子存在率的最高值与最低值的差值为10%~60%，氮原子存在率的最高值与最低值的差值为5%~30%，在所述阻气单元中，距基材远端的一侧为所述氮氧化硅层，所述氮氧化硅层在距所述基材远端的位置具有所述倾斜组成区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于琳得科株式会社，未经琳得科株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201480019464.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：充气轮胎及其制造方法
- 下一篇：带有多层层合物的吸收制品
