[发明专利]阻气性层压体、电子器件用部件及电子器件

说明书

技术领域

本发明涉及阻气性层压体、由该阻气性层压体构成的电子器件用部件和具备该电子器件用部件的电子器件。

背景技术

近年来，在图像显示装置中，尝试使用合成树脂片材代替玻璃基板以制备柔性显示器。但是，合成树脂片材与玻璃相比容易透过水蒸气等气体，另外有表面平滑性低等问题，在实用化方面有大量问题。

为了解决这样的问题，提出了一些在合成树脂薄膜上层压有阻气性无机化合物薄膜的阻气性薄膜。

例如，在专利文献1中，记载了透明阻气层压薄膜，所述薄膜通过干式涂布法在由塑料薄膜构成的基材的一面或两面设置SiOx的x值为1.8以上的高氧化度氧化硅层，并在该高氧化度氧化硅层上设置SiOx的x值为1.0~1.6的低氧化度氧化硅层，进而对该低氧化度氧化硅层面实施使用由氧、氮、氩或氦的一种或2种以上构成的气体的等离子体处理后，在该低氧化度氧化硅层的等离子体处理面上层压聚合物层。

在专利文献2中，记载了透明阻气基板，所述基板在透明树脂基板的一面或两面将氮氧化硅层和氮化硅层按此顺序层压。

在专利文献3中，记载了阻气薄膜，所述薄膜至少具有基材薄膜和在基材薄膜上设置的含有硅、氧和氮的阻气膜，其中，阻气膜在厚度方向具有氧含量比氮含量多的区域A、氮含量比氧含量多的区域B和区域C，所述区域C位于区域A与区域B之间，并且在区域A的氧含量逐渐减少的同时，接近区域B氮含量逐渐增加。

在专利文献4中，记载了阻气性薄膜，所述薄膜具有由SiN/SiOxNy/SiN这3层构成的单元。

在专利文献5中，记载了阻气薄膜，所述薄膜具有透明的柔性支持基板2和至少1层由水蒸气透过率为0.09g/m²/天以下的氮氧化硅薄膜A构成的阻气层3a，构成薄膜A的元素组成以N/Si (系数Xa)为0.1~0.9、O/Si (系数Ya)为0.65~1.85、4-(3Xa+2Ya)为1以下的方式构成。

在专利文献6中，记载了阻隔性薄膜，所述薄膜含有在树脂基材上至少将有机层、第一无机层、第二无机层按此顺序层压而得到的层构成，其特征在于，该第一无机层至少含有氧化硅或氮氧化硅，该第二无机层至少含有氮氧化硅，并且与该第二无机层的硅键合的元素浓度比(O+N)/O比该第一无机层的元素浓度比(O+N)/O大。

在专利文献7中，记载了阻气性薄膜，其特征在于，在树脂基板的至少一面上具有由阻气层A、阻气层B和阻气层C构成的阻气单元，所述阻气层A、阻气层B和阻气层C分别由氧化硅和/或氮氧化硅构成，对于该阻气单元，从基板侧起按照所述层A、层B、层C的顺序放置，各层的氧化硅和/或氮氧化硅中的氮原子数与氧原子数的比例(N原子数/O原子数)为层A＜层B＞层C。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2004-351832号公报

专利文献2：日本特许第4279816号

专利文献3：日本特开2009-196155号公报(US2006226517A1)

专利文献4：日本特许第4425167号

专利文献5：日本特许第4717669号

专利文献6：日本特开2011-146226号公报

专利文献7：日本特开2011-156752号公报。

发明内容

发明所要解决的课题

如上所述，到目前为止，提出了大量在合成树脂片材上层压有阻气性无机化合物薄膜的阻气性片材。

但是，这些文献中记载的阻气薄膜在性能上不足以作为如有机EL元件的封装材料等那样要求高的阻气性和高的耐弯曲性的阻气薄膜。

本发明鉴于上述目前技术而完成，其目的在于，提供具有极高的阻气性和耐弯曲性的阻气性层压体、由该阻气性层压体构成的电子器件用部件和具备所述电子器件用部件的电子器件。

解决课题的手段

本发明人为解决上述课题而深入研究，结果发现以下阻气性层压体具有极高的阻气性和耐弯曲性，从而完成本发明：所述层压体具有基材和阻气性单元，其中，所述阻气性单元含有至少2层无机层，在所述至少2层无机层中，至少1层为氮氧化硅层；所述氮氧化硅层为由特定值以上的厚度的氮氧化硅构成的层，具有：随着相对于层中的厚度方向向基材侧接近，氧元素的存在率减少，氮元素的存在率增加的倾斜组成区域；所述倾斜组成区域的厚度相对于氮氧化硅层整体的厚度的比例为特定值以上。

这样根据本发明，提供下列(1)~(7)的阻气性层压体、(8)的电子器件用部件和(9)的电子器件。