[发明专利]硅上液晶芯片中的本地缓冲器有效
| 申请号： | 201480017775.8 | 申请日： | 2014-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN105052169B | 公开（公告）日： | 2019-05-17 |
| 发明（设计）人： | 乔纳森·B·阿什布鲁克;利昂内尔·李;布赖恩·R·卡雷;尼古拉斯·F·容格尔斯 | 申请（专利权）人： | 菲尼萨公司 |
| 主分类号： | H04Q11/00 | 分类号： | H04Q11/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 朱胜;陈炜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 示例实施例包括硅上液晶(LCOS)系统。LCOS系统包括多个像素、像素电压供给源(电压源)、外部缓冲器以及本地缓冲器。电压源被配置成将模拟斜坡供给至像素。外部缓冲器被配置成对来自像素的电压源进行缓冲。本地缓冲器被配置成对来自多个像素中的像素的子集的外部缓冲器进行缓冲。 | ||
| 搜索关键词： | 液晶 芯片 中的 本地 缓冲器 | ||
【主权项】：
1.一种硅上液晶系统，包括：多个像素；像素电压供给源，被配置成将模拟斜坡信号供给至所述多个像素；外部缓冲器，被配置成对来自所述多个像素的像素电压供给源进行缓冲；以及多个列驱动器，所述多个列驱动器中的每个列驱动器包括本地缓冲器，所述本地缓冲器被配制成对来自所述多个像素的子集的外部缓冲器进行缓冲。
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