[发明专利]硅上液晶芯片中的本地缓冲器

权利要求书

1.一种硅上液晶系统，包括：

多个像素；

像素电压供给源，被配置成将模拟斜坡信号供给至所述多个像素；

外部缓冲器，被配置成对来自所述多个像素的像素电压供给源进行缓冲；以及

多个列驱动器，所述多个列驱动器中的每个列驱动器包括本地缓冲器，所述本地缓冲器被配制成对来自所述多个像素的子集的外部缓冲器进行缓冲。

2.根据权利要求1所述的硅上液晶系统，其中，所述本地缓冲器包括主放大器，所述主放大器被配置成将目标电压供给至所述像素的子集。

3.根据权利要求1所述的硅上液晶系统，其中，所述模拟斜坡信号从初始电压单调地变化至最终电压，所述硅上液晶还包括采样开关，所述采样开关被配置成：至少针对所述模拟斜坡信号在所述初始电压与目标电压之间的时间的部分，将所述模拟斜坡信号引入至所述本地缓冲器；以及当所述模拟斜坡信号在所述目标电压与所述最终电压之间时防止将所述模拟斜坡信号引入至所述本地缓冲器。

4.根据权利要求3所述的硅上液晶系统，其中，所述采样开关由数字比较器控制。

5.根据权利要求4所述的硅上液晶系统，其中，所述数字比较器被配置成将目标计数信号与斜坡步进信号进行比较，所述目标计数信号指示直到所述模拟斜坡信号达到所述目标电压的时间间隔的数量，所述斜坡步进信号指示下述时间间隔的数量：在所述时间间隔的数量期间所述模拟斜坡信号被供给至所述本地缓冲器。

6.根据权利要求5所述的硅上液晶系统，其中，当所述斜坡步进信号小于所述目标计数信号时，所述数字比较器保持所述采样开关闭合。

7.根据权利要求1所述的硅上液晶系统，其中：

所述多个像素被布置成像素列；

所述本地缓冲器是多个本地缓冲器中之一；以及

所述多个本地缓冲器中的每个被配置成对来自所述像素列中之一的外部缓冲器进行缓冲。

8.根据权利要求1所述的硅上液晶系统，其中：

所述多个像素被布置成像素列；以及

所述本地缓冲器被配置成对来自所述像素列的子集的外部缓冲器进行缓冲。

9.根据权利要求8所述的硅上液晶系统，还包括：

多个下游采样开关，所述多个下游采样开关中的每个位于所述本地缓冲器与所述像素列的子集中之一之间，并且所述多个下游采样开关中的每个被配置成将所述模拟斜坡信号引入至所述像素列的子集中之一。

10.根据权利要求1所述的硅上液晶系统，其中，所述本地缓冲器被配置成使得所述外部缓冲器的转换速率基本上与所述模拟斜坡信号的转换速率相匹配。