[发明专利]表征TSV微制造过程及其产品有效
| 申请号： | 201480017566.3 | 申请日： | 2014-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN105051485B | 公开（公告）日： | 2018-05-04 |
| 发明（设计）人： | 拉吉夫·罗伊;大卫·格兰特;大卫·S·马克斯;汉·朱 | 申请（专利权）人： | 鲁道夫科技公司 |
| 主分类号： | G01B11/00 | 分类号： | G01B11/00;G01B9/02;G01N21/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人： | 李静,马强 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了一种用于表征微制造过程及其产品的方法。通过确定TSV的顶端和底端的几何形状和位置，对形成有TSV的衬底进行了评估。可对所述衬底上形成的各个TSV以及TSV的整个图案进行评估。 | ||
| 搜索关键词： | 表征 tsv 制造 过程 及其 产品 | ||
【主权项】：
一种评估硅通孔的质量水平的方法，所述硅通孔形成在衬底中，所述方法包括：从所述衬底的正面侧处获得关于硅通孔的顶端的几何信息；从所述衬底的反面侧处获得关于硅通孔的底端的几何信息；将所述硅通孔的所述顶端的几何信息和所述底端的几何信息对准，以确定所述硅通孔的相应的顶端和底端的对准，其中，所述几何信息包括所述硅通孔的所述顶端和所述底端的XY位置、直径、质心以及形状中的至少一个。
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