[发明专利]表征TSV微制造过程及其产品

权利要求书

1.一种评估硅通孔的质量水平的方法，所述硅通孔形成在衬底中，所述方法包括：

从所述衬底的正面侧处获得关于硅通孔的顶端的几何信息；

从所述衬底的反面侧处获得关于硅通孔的底端的几何信息；

将所述硅通孔的所述顶端的几何信息和所述底端的几何信息对准，以确定所述硅通孔的相应的顶端和底端的对准，

其中，所述几何信息包括所述硅通孔的所述顶端和所述底端的XY位置、直径、质心以及形状中的至少一个。

2.根据权利要求1所述的评估硅通孔的质量水平的方法，所述方法进一步包括获得所述衬底的基本上位于所述硅通孔的XY位置处的厚度值，并至少基于所述硅通孔的相应的顶端和底端的几何信息推断所述硅通孔的几何体积，以及确定所推断的所述硅通孔的几何体积是否与预定标准相似。

3.一种表征微制造过程并表征由所述微制造过程形成的产品的方法，所述方法包括：

从衬底的正面侧处确定多个硅通孔的位置；

从衬底的反面侧处确定相同的所述多个硅通孔的位置；以及

确定硅通孔的位置在所述衬底的正面侧处和所述衬底的反面侧处之间存在未对准，以在微制造过程中标识过程偏移。

4.根据权利要求3所述的表征微制造过程并表征由所述微制造过程形成的产品的方法，所述方法进一步包括：

从所述衬底的所述正面侧处和所述反面侧处确定所述多个硅通孔的几何形状；以及

确定在所述衬底的相应的正面侧处和反面侧处的相应的硅通孔的几何形状的变化是否超过从由尺寸和几何形状组成的组中选择的预定标准。

5.根据权利要求3所述的表征微制造过程并表征由所述微制造过程形成的产品的方法，所述方法进一步包括：

将从所述衬底的所述正面侧处确定的所述多个硅通孔的位置与从所述衬底的所述反面侧处确定的所述多个硅通孔的位置匹配；以及

如果所述硅通孔的匹配的位置之间有不对准，则量化该不对准的程度。

6.根据权利要求3所述的表征微制造过程并表征由所述微制造过程形成的产品的方法，其中，从衬底的正面侧处确定多个硅通孔的位置的步骤在用导电材料填充所述硅通孔以实现金属化之前进行。

7.根据权利要求3所述的表征微制造过程并表征由所述微制造过程形成的产品的方法，其中，从衬底的反面侧处确定相同的多个硅通孔的位置的步骤在已将所述衬底从标称厚度减薄之后进行。

8.一种表征微制造过程并表征由所述微制造过程形成的产品的方法，所述方法包括：

从衬底的正面侧处确定多个硅通孔的位置；

确定相同的所述多个硅通孔的底端在衬底内的位置；以及

确定在所述衬底的所述正面侧处的硅通孔的位置与所述硅通孔的所述底端在所述衬底内的位置之间存在未对准，以标识微制造过程中的过程偏移。

9.根据权利要求8所述的表征微制造过程并表征由所述微制造过程形成的产品的方法，所述方法进一步包括使用近红外区波长范围内的辐射，以获得所述硅通孔的所述底端的位置。