[发明专利]图像拾取装置和图像拾取显示系统有效
申请号: | 201480016985.5 | 申请日: | 2014-02-27 |
公开(公告)号: | CN105074934B | 公开(公告)日: | 2017-10-20 |
发明(设计)人: | 山田泰弘 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786;H01L29/49;H01L29/423;H01L27/146 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人: | 田喜庆,吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种半导体装置,包括基板;至少一个栅电极;至少两个氧化硅层,包括第一氧化硅层和第二氧化硅层,其中,第一氧化硅层比第二氧化硅层更靠近基板,并且其中,第一氧化硅层的厚度大于或等于第二氧化硅层的厚度;以及半导体层,被布置在第一氧化硅层的至少一部分与第二氧化硅层的至少一部分之间。此外,图像拾取装置和辐射成像设备包括该半导体装置。 | ||
搜索关键词: | 图像 拾取 装置 显示 系统 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,包括:基板;至少一个栅电极;至少两个氧化硅层,包括第一氧化硅层和第二氧化硅层,其中,所述第一氧化硅层比所述第二氧化硅层更靠近所述基板,并且其中,所述第一氧化硅层的厚度大于或等于所述第二氧化硅层的厚度;以及半导体层,被布置在所述第一氧化硅层的至少一部分与所述第二氧化硅层的至少一部分之间,其中,所述至少一个栅电极包括第一栅电极和第二栅电极,其中,所述第一栅电极比所述第二栅电极更靠近所述基板,其中,所述半导体层被布置在所述第一栅电极与所述第二栅电极之间,其中,所述第一栅电极与所述半导体层之间的第一电容小于或等于所述第二栅电极与所述半导体层之间的第二电容。
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