[发明专利]图像拾取装置和图像拾取显示系统有效
申请号: | 201480016985.5 | 申请日: | 2014-02-27 |
公开(公告)号: | CN105074934B | 公开(公告)日: | 2017-10-20 |
发明(设计)人: | 山田泰弘 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786;H01L29/49;H01L29/423;H01L27/146 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人: | 田喜庆,吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像 拾取 装置 显示 系统 | ||
1.一种半导体装置,包括:
基板;
至少一个栅电极;
至少两个氧化硅层,包括第一氧化硅层和第二氧化硅层,其中,所述第一氧化硅层比所述第二氧化硅层更靠近所述基板,并且其中,所述第一氧化硅层的厚度大于或等于所述第二氧化硅层的厚度;以及
半导体层,被布置在所述第一氧化硅层的至少一部分与所述第二氧化硅层的至少一部分之间,
其中,所述至少一个栅电极包括第一栅电极和第二栅电极,其中,所述第一栅电极比所述第二栅电极更靠近所述基板,
其中,所述半导体层被布置在所述第一栅电极与所述第二栅电极之间,
其中,所述第一栅电极与所述半导体层之间的第一电容小于或等于所述第二栅电极与所述半导体层之间的第二电容。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述半导体装置是层压结构,在所述层压结构中,按照所述基板、所述第一栅电极、所述第一氧化硅层、所述半导体层、第二绝缘层以及所述第二栅电极这样的顺序进行布置。
3.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述第一氧化硅层的第一部分与所述半导体层在物理上相接触并且所述第一氧化硅层的第二部分与所述第二氧化硅层在物理上相接触。
4.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述第一氧化硅层是第一绝缘层的一部分,所述第一绝缘层包括第一氮化硅层。
5.根据权利要求4所述的半导体装置,其中,所述第二氧化硅层是第二绝缘层的一部分,所述第二绝缘层包括第二氮化硅层。
6.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述第二氧化硅层是绝缘层的一部分,所述绝缘层包括氮化硅层。
7.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述半导体层包括低温多晶硅材料。
8.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述半导体层包括微晶硅。
9.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述至少一个栅电极包括选自由钼、钛、铝、钨和铬组成的组中的至少一种材料。
10.一种图像拾取装置,包括:
多个像素,各像素包括至少一个半导体装置,所述半导体装置包括:
基板;
至少一个栅电极;
至少两个氧化硅层,包括第一氧化硅层和第二氧化硅层,其中,所述第一氧化硅层比所述第二氧化硅层更靠近所述基板,并且其中,所述第一氧化硅层的厚度大于或等于所述第二氧化硅层的厚度;以及
半导体层,被布置在所述第一氧化硅层的至少一部分与所述第二氧化硅层的至少一部分之间,
其中,所述至少一个栅电极包括第一栅电极和第二栅电极,其中,所述第一栅电极比所述第二栅电极更靠近所述基板,
其中,所述半导体层被布置在所述第一栅电极与所述第二栅电极之间,
其中,所述第一栅电极与所述半导体层之间的第一电容小于或等于所述第二栅电极与所述半导体层之间的第二电容。
11.一种辐射成像设备,包括:
辐射源,被配置为发出辐射;以及
图像拾取装置,被配置为接收并且检测所发出的辐射的至少一部分,所述图像拾取装置包括多个像素,各像素包括至少一个半导体装置,所述半导体装置包括:
基板;
至少一个栅电极;
至少两个氧化硅层,包括第一氧化硅层和第二氧化硅层,其中,所述第一氧化硅层比所述第二氧化硅层更靠近所述基板,并且其中,所述第一氧化硅层的厚度大于或等于所述第二氧化硅层的厚度;以及
半导体层,被布置在所述第一氧化硅层的至少一部分与所述第二氧化硅层的至少一部分之间,
其中,所述至少一个栅电极包括第一栅电极和第二栅电极,其中,所述第一栅电极比所述第二栅电极更靠近所述基板,
其中,所述半导体层被布置在所述第一栅电极与所述第二栅电极之间,
其中,所述第一栅电极与所述半导体层之间的第一电容小于或等于所述第二栅电极与所述半导体层之间的第二电容。
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