[发明专利]光半导体装置的制造方法在审
申请号: | 201480016977.0 | 申请日: | 2014-03-10 |
公开(公告)号: | CN105051922A | 公开(公告)日: | 2015-11-11 |
发明(设计)人: | 二宫明人;伊藤久贵;大薮恭也;梅谷荣弘;三谷宗久 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
主分类号: | H01L33/56 | 分类号: | H01L33/56 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 利用密封片(1)来密封LED(4)而制造LED装置(5)的LED装置(5)的制造方法,其包括片制造工序和密封工序,在该片制造工序中制造密封片(1),在该密封工序中利用密封片(1)来密封LED(4),从在片制造工序中制得密封片(1)之后到在密封工序中利用密封片(1)来密封了LED(4)之前的这段时间T为24小时以内。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种光半导体装置的制造方法,在该光半导体装置的制造方法中,利用密封层来密封光半导体元件而制造光半导体装置,其特征在于,该光半导体装置的制造方法包括密封层制造工序和密封工序,在该密封层制造工序中制造所述密封层,在该密封工序中利用所述密封层来密封所述光半导体元件,从在所述密封层制造工序中制得所述密封层之后到在所述密封工序中利用所述密封层来密封了所述光半导体元件之前的这段时间为24小时以下。
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