[发明专利]光半导体装置的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种光半导体装置的制造方法。

背景技术

公知有一种利用密封片来密封光半导体元件而制造光半导体装置的方法。

例如，提出有一种制造光半导体装置的方法：制造具有能够将光半导体元件密封的密封树脂层的光半导体元件密封用片，之后，将该光半导体元件密封用片以与光半导体元件搭载基板相对的方式载置，利用压力机对该光半导体元件密封用片进行加压，由此制造光半导体装置(例如，参照下述专利文献1。)。

专利文献1：日本特开2011－159874号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，在制造光半导体元件搭载基板时，首先，制造C阶段前的光半导体元件密封用片，之后，将该光半导体元件密封用片出厂并输送。然后，在出厂目的地保存(保管)光半导体元件密封用片之后，将该光半导体元件密封用片设置于载置有光半导体元件搭载基板的压力机。之后，通过加压并利用光半导体元件密封用片来埋设被搭载在光半导体元件搭载基板上的光半导体元件并使光半导体元件密封用片成为C阶段，从而利用光半导体元件密封用片来密封光半导体元件。

因此，即使在长时间输送和保存光半导体元件密封用片，也需要预先将光半导体元件密封用片维持在能够密封光半导体元件的C阶段前的状态。这样一来，需要设计和管理光半导体元件密封用片，以便在各种环境下均能长时间维持光半导体元件密封用片的C阶段前的状态，因此，存在制造成本乃至管理成本增大这样的问题。

本发明的目的在于，提供一种易于管理用于密封光半导体元件的、C阶段前的状态的密封层并能够提高光半导体装置的制造效率的光半导体装置的制造方法。

用于解决问题的方案

本发明的一种光半导体装置的制造方法是利用密封层来密封光半导体元件而制造光半导体装置的光半导体装置的制造方法，其特征在于，该光半导体装置的制造方法包括密封层制造工序和密封工序，在该密封层制造工序中制造所述密封层，在该密封工序中利用所述密封层来密封所述光半导体元件，从在所述密封层制造工序中制得所述密封层之后到在所述密封工序中利用所述密封层来密封了所述光半导体元件之前的这段时间为24小时以下。

采用该方法，由于从在密封层制造工序中制得密封层之后到在密封工序中利用密封层来密封了光半导体元件之前的这段时间为短时间，因此能够提高光半导体装置的制造效率。

另外，采用该方法，由于不必长时间维持密封层的C阶段前的状态，因此能够易于设计和管理C阶段前的状态的密封层。因此，能够提高C阶段前的状态的密封层的设计和管理的自由度。

另外，在本发明的光半导体装置的制造方法中，优选的是，在室温条件下输送利用所述密封层制造工序制造出来的所述密封层并将所述密封层供给至所述密封工序。

在密封层的输送和保管需要较长时间的情况下，为了防止密封层自C阶段前的状态成为C阶段，需要将C阶段前的状态的密封层冷却(冷冻)为低温而进行输送和保管。

但是，采用该方法，由于自C阶段前的状态之后到C阶段之前的这段时间为短时间，因此能够在室温条件下输送利用密封层制造工序制造出来的C阶段前的状态的密封层并将所述密封层供给至密封工序。因此，不需要用于所述冷却的工时和设备，其结果，能够降低制造成本。

另外，在冷却密封层的情况下，需要在使冷却了的密封层返回到室温之后利用该密封层来密封光半导体元件，结果会存在如下情况：当使冷却了的密封层在短时间内返回到室温时，会使密封层产生结露，若利用该结露了的密封层来密封光半导体元件，则会产生空隙而使光半导体装置的可靠性降低。

另一方面，若为了防止密封层的结露而使冷却了的密封层在经过长时间后返回到室温，则会使光半导体装置的制造效率显著降低。

但是，采用该方法，由于不需要所述冷却，因此，也不需要使冷却了的密封层返回到室温，从而能够缩短制造时间。因此，能够降低制造成本。并且，由于还能够防止因所述结露而产生的空隙，因此能够制造可靠性较高的光半导体装置。

另外，优选的是，本发明的该光半导体装置的制造方法是利用B阶段的密封片来密封所述光半导体元件而制造所述光半导体装置的光半导体装置的制造方法，所述密封层制造工序是制造B阶段的所述密封片的片制造工序，在所述密封工序中，利用B阶段的所述密封片来密封所述光半导体元件，从在所述片制造工序中制得B阶段的所述密封片之后到在所述密封工序中利用B阶段的所述密封片来密封了所述光半导体元件之前的这段时间为24小时以下。