[发明专利]光伏元件及其制造方法在审
申请号: | 201480016819.5 | 申请日: | 2014-03-17 |
公开(公告)号: | CN105144399A | 公开(公告)日: | 2015-12-09 |
发明(设计)人: | 小林英治 | 申请(专利权)人: | 长州产业株式会社 |
主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236;H01L31/0747;H01L31/18 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 王玉玲;李雪春 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种光伏元件及其制造方法,不使用对人体有害的有机溶剂在硅基板上进行蚀刻并形成棱锥体状凹凸部,且能提高发电效率。所述光伏元件(10)具备:利用各向异性蚀刻在表面形成有多个棱锥体状凹凸部的硅基板(11)、以及在棱锥体状凹凸部上由化学气相沉积法形成的非晶质系硅薄膜(12)~(15),选择蚀刻条件并用以下的公式定义,形成棱锥体状凹凸部的棱锥体的对角线的平均长度小于5μm。对角线的平均长度=(2×视野范围的面积/视野范围的棱锥体的顶点数)0.5。 | ||
搜索关键词: | 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种光伏元件,具备:利用各向异性蚀刻在表面形成有多个棱锥体状凹凸部的硅基板、以及在所述棱锥体状凹凸部上通过化学气相沉积法形成的非晶质系硅薄膜,所述光伏元件的特征在于,由以下的公式定义且形成所述棱锥体状凹凸部的棱锥体的对角线的平均长度小于5μm,对角线的平均长度=(2×视野范围的面积/视野范围的棱锥体的顶点数)0.5。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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