[发明专利]光伏元件及其制造方法

权利要求书

1.一种光伏元件，具备：利用各向异性蚀刻在表面形成有多个棱锥体状凹凸部的硅基板、以及在所述棱锥体状凹凸部上通过化学气相沉积法形成的非晶质系硅薄膜，所述光伏元件的特征在于，

由以下的公式定义且形成所述棱锥体状凹凸部的棱锥体的对角线的平均长度小于5μm，

对角线的平均长度＝(2×视野范围的面积/视野范围的棱锥体的顶点数)^0.5。

2.根据权利要求1所述的光伏元件，其特征在于，

所述基于化学气相沉积法的至少与所述硅基板直接接合的非晶质系硅薄膜的层叠，是在所述硅基板的温度超过180℃且为220℃以下的状态下进行的。

3.根据权利要求1或2所述的光伏元件，其特征在于，

所述硅基板的厚度处于70～120μm的范围。

4.根据权利要求1～3中任意一项所述的光伏元件，其特征在于，

表面形成有指状电极，该指状电极的厚度处于1～5μm的范围。

5.根据权利要求1～4中任意一项所述的光伏元件，其特征在于，

所述对角线的平均长度处于2～4μm的范围。

6.根据权利要求1～5中任意一项所述的光伏元件，其特征在于，

开路电压为720mV以上。

7.一种太阳能电池模块，其特征在于，

具备权利要求1～6中任意一项所述的光伏元件。

8.一种太阳能电池系统，其特征在于，

包含权利要求7所述的太阳能电池模块。

9.一种光伏元件的制造方法，所述光伏元件具备：利用各向异性蚀刻在表面形成有多个棱锥体状凹凸部的硅基板、以及在所述棱锥体状凹凸部上通过化学气相沉积法形成的非晶质系硅薄膜，所述光伏元件的制造方法的特征在于，

具有蚀刻工序，通过对蚀刻前硅基板进行不使用异丙醇而是使用了碱和包含醇衍生物及表面活性剂中至少1种的添加剂和水的混合液的所述各向异性蚀刻，得到所述硅基板，

由以下的公式定义且形成所述棱锥体状凹凸部的棱锥体的对角线的平均长度小于5μm，

对角线的平均长度＝(2×视野范围的面积/视野范围的棱锥体的顶点数)^0.5。

10.根据权利要求9所述的光伏元件的制造方法，其特征在于，

所述混合液的碱浓度以NaOH换算为0.2～2质量％，

作为所述蚀刻工序，将所述蚀刻前硅基板浸渍在所述混合液中10～20分钟，

还具有进行所述硅基板的清洗处理的清洗工序。