[发明专利]含硅粒子、非水电解质二次电池的负极材料、及非水电解质二次电池有效
| 申请号： | 201480012160.6 | 申请日： | 2014-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN105027334B | 公开（公告）日： | 2017-12-08 |
| 发明（设计）人： | 中西铁雄;谷口一行;山田佳益 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01M4/38 | 分类号： | H01M4/38;H01M4/134;H01M4/36 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 李英艳,洪燕 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明是一种含硅粒子，用于非水电解质二次电池的负极活性物质，其特征在于，在X射线衍射图的分析中，根据归属于2θ＝28.4°附近的Si(111)的衍射线的半峰全宽，利用谢乐法(Scherrer法)求出的结晶粒径为300nm以下，真密度为高于2.320g/cm3且低于3.500g/cm3。由此，提供一种用于非水电解质二次电池用负极活性物质的含硅粒子，在作为非水电解质二次电池用负极活性物质使用时，能作成一种非水电解质二次电池，其容量大于石墨等，且循环特性也优异。 | ||
| 搜索关键词： | 粒子 水电 二次 电池 负极 材料 | ||
【主权项】：
一种含硅粒子的制造方法，所述含硅粒子用于非水电解质二次电池的负极活性物质，所述制造方法的特征在于，具有：通过真空蒸镀法将硅块或硅合金块堆积的工序，以及将所述硅块或硅合金块粉碎的工序，所述制造方法制造的含硅粒子在X射线衍射图的分析中，根据归属于2θ＝28.4°附近的Si(111)的衍射线的半峰全宽，利用谢乐法求出的结晶粒径为300nm以下，真密度为高于2.3719g/cm3且低于3.500g/cm3。
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