[发明专利]含硅粒子、非水电解质二次电池的负极材料、及非水电解质二次电池

权利要求书

1.一种含硅粒子的制造方法，所述含硅粒子用于非水电解质二次电池的负极活性物质，所述制造方法的特征在于，

具有：

通过真空蒸镀法将硅块或硅合金块堆积的工序，以及

将所述硅块或硅合金块粉碎的工序，

所述制造方法制造的含硅粒子在X射线衍射图的分析中，根据归属于2θ＝28.4°附近的Si(111)的衍射线的半峰全宽，利用谢乐法求出的结晶粒径为300nm以下，真密度为高于2.3719g/cm³且低于3.500g/cm³。

2.如权利要求1所述的含硅粒子的制造方法，其中，所述含硅粒子的制造方法制造的含硅粒子的粒径的体积平均值D₅₀为1μm以上且20μm以下。

3.如权利要求1所述的含硅粒子的制造方法，其中，将所述含硅粒子的制造方法制造的含硅粒子的粒径的体积平均值D₅₀除以所述结晶粒径而得的值为1以上并且5000以下。

4.如权利要求1所述的含硅粒子的制造方法，其中，在所述通过真空蒸镀法将硅块或硅合金块堆积的工序中，将含有选自硼、铝、磷、钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、砷、锗、锡、锑、铟、钽、钨以及镓中的一种或两种以上的元素的硅合金块堆积。

5.如权利要求2所述的含硅粒子的制造方法，其中，在所述通过真空蒸镀法将硅块或硅合金块堆积的工序中，将含有选自硼、铝、磷、钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、砷、锗、锡、锑、铟、钽、钨以及镓中的一种或两种以上的元素的硅合金块堆积。

6.如权利要求3所述的含硅粒子的制造方法，其中，在所述通过真空蒸镀法将硅块或硅合金块堆积的工序中，将含有选自硼、铝、磷、钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、砷、锗、锡、锑、铟、钽、钨以及镓中的一种或两种以上的元素的硅合金块堆积。

7.一种非水电解质二次电池的负极材料的制造方法，其特征在于，所述制造方法制造的非水电解质二次电池的负极材料含有使用权利要求1至6中的任一项所述的含硅粒子的制造方法制造的含硅粒子来作为非水电解质二次电池的负极活性物质。

8.如权利要求7所述的非水电解质二次电池的负极材料的制造方法，其中，在所述负极材料中还含有石墨来作为导电剂。

9.一种非水电解质二次电池的制造方法，其特征在于，其制造的非水电解质二次电池具备：

负极成型体，该负极成型体由使用权利要求7所述的非水电解质二次电池用负极材料的制造方法制造的非水电解质二次电池用负极材料构成；

正极成型体；

隔膜，该隔膜将所述负极成型体与所述正极成型体分离；以及，

非水电解质。

10.一种非水电解质二次电池的制造方法，其特征在于，其制造的非水电解质二次电池具备：

负极成型体，该负极成型体由使用权利要求8所述的非水电解质二次电池用负极材料的制造方法制造的非水电解质二次电池用负极材料构成；

正极成型体；

隔膜，该隔膜将所述负极成型体与所述正极成型体分离；以及，

非水电解质。

11.如权利要求9所述的非水电解质二次电池的制造方法，其中，作为所述非水电解质，使用含有锂离子的非水电解质。

12.如权利要求10所述的非水电解质二次电池的制造方法，其中，作为所述非水电解质，使用含有锂离子的非水电解质。