[发明专利]垂直MOSFET中的双RESURF沟槽场板有效
| 申请号： | 201480012018.1 | 申请日： | 2014-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN105009296B | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | C·B·科措;J·M·S·奈尔松;S·J·莫洛伊;H·卡瓦哈勒;H·杨;S·斯瑞达;H·吴;B·温 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民;徐东升 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请公开一种半导体器件(100)，其包括具有在垂直漂移区(110)的相对侧上的垂直降低表面场(RESURF)沟槽(112)的实例的垂直MOS晶体管(106)。垂直RESURF沟槽(112)包含在侧壁上的介电沟槽衬垫(114)、下场板(120)和上场板(122)。介电沟槽衬垫(114)在下场板与垂直漂移区(110)之间比在上场板与垂直漂移区(110)之间更厚。栅极(126)被设置在垂直漂移区(110)上方并且与上场板(122)分开。上场板(122)和下场板(120)被电耦合到垂直MOS晶体管的源极电极。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 mosfet 中的 resurf 沟槽 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底，其包括半导体材料；垂直金属氧化物半导体晶体管即垂直MOS晶体管，其包括：具有第一导电性类型的垂直漂移区，其被设置在所述衬底的所述半导体材料中；在所述衬底中的至少一个垂直RESURF沟槽，使得所述垂直RESURF沟槽的实例被设置在所述垂直漂移区的相对侧上，其中所述垂直RESURF沟槽的每个实例包括：介电沟槽衬垫，其被设置在所述垂直RESURF沟槽的侧壁和底部上；下场板，其被设置在所述垂直RESURF沟槽的下部部分中的所述介电沟槽衬垫上；以及上场板，其被设置在所述下场板上方的所述介电沟槽衬垫上，所述介电沟槽衬垫在所述下场板与所述垂直漂移区之间比在所述上场板与所述垂直漂移区之间更厚；具有所述第一导电类型的漏极接触区，其被设置在所述垂直RESURF沟槽下方的所述衬底中；栅极，其被设置在所述垂直RESURF沟槽的所述实例之间的所述垂直漂移区上方，所述垂直RESURF沟槽被设置在所述垂直漂移区的相对侧上，使得所述栅极与所述上场板和所述下场板电隔离；具有所述第一导电类型的源极区，其被设置在所述垂直漂移区上方的所述衬底中并且通过体区与所述垂直漂移区分开，所述体区具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型；以及源极电极，其被电耦合至所述源极区、所述上场板和所述下场板。
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