[发明专利]垂直MOSFET中的双RESURF沟槽场板有效
| 申请号： | 201480012018.1 | 申请日： | 2014-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN105009296B | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | C·B·科措;J·M·S·奈尔松;S·J·莫洛伊;H·卡瓦哈勒;H·杨;S·斯瑞达;H·吴;B·温 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民;徐东升 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 垂直 mosfet 中的 resurf 沟槽 | ||
本申请公开一种半导体器件(100)，其包括具有在垂直漂移区(110)的相对侧上的垂直降低表面场(RESURF)沟槽(112)的实例的垂直MOS晶体管(106)。垂直RESURF沟槽(112)包含在侧壁上的介电沟槽衬垫(114)、下场板(120)和上场板(122)。介电沟槽衬垫(114)在下场板与垂直漂移区(110)之间比在上场板与垂直漂移区(110)之间更厚。栅极(126)被设置在垂直漂移区(110)上方并且与上场板(122)分开。上场板(122)和下场板(120)被电耦合到垂直MOS晶体管的源极电极。
技术领域
本发明涉及半导体器件中的垂直MOS晶体管。
背景技术
垂直金属氧化物半导体(MOS)晶体管可以具有在垂直漂移区下方的漏极以及在垂直漂移区上方的栅极、体区和源极。可能期望的是针对MOS晶体管的给定工作电压而减小垂直漂移区的深度。
发明内容
一种半导体器件包含具有在垂直漂移区的相对侧上的垂直降低表面场(RESURF)沟槽的实例的垂直MOS晶体管。垂直RESURF沟槽包含在侧壁上的介电沟槽衬垫。垂直RESURF沟槽进一步包含在垂直RESURF沟槽的下部部分中的下场板和在该下场板上方的上场板。在下场板与垂直漂移区之间的介电沟槽衬垫比在上场板与垂直漂移区之间的介电沟槽衬垫更厚。栅极被设置在垂直漂移区上方并且与上场板分开。上场板和下场板电耦合到垂直MOS晶体管的源极电极。还公开了一种形成该半导体器件的方法。
附图说明
图1是具有垂直MOS晶体管的示例半导体器件的横截面图。
图2A-2H是示出在制造具有垂直MOS晶体管的半导体器件的示例方法中的各个阶段的横截面图。
图3A-3D是示出在图2A-2H的示例方法的变体中的各个阶段的横截面图。
图4A-4C是示出在图2A-2H的示例方法的另一变体中的各个阶段的横截面图。
图5A-5H是示出在制造具有另一垂直MOS晶体管的半导体器件的示例方法中的各个阶段的横截面图。
图6A-6D是示出在图2A-2H的示例方法的变体中的各个阶段的横截面图。
图7是具有垂直MOS晶体管的另一示例半导体器件的横截面图。
具体实施方式
降低表面场(RESURF)区是指减少相邻半导体区域中的电场的区域。RESURF区例如可以是与相邻的半导体区域具有相反导电类型的半导体区域。在Appels,J.A.et al.,Thin Layer High Voltage DevicesPhilips J.Res.,Vol.35,pp 1-13,1980中描述了示例性RESURF结构。
本文所公开的示例描述了n沟道垂直MOS晶体管。应当认识到，相应的p沟道垂直MOS晶体管可以通过掺杂剂的极性和导电类型的适当改变来形成。
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