[发明专利]具有沟槽形底部电极的电阻式存储器单元有效
| 申请号： | 201480011426.5 | 申请日： | 2014-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN105027310B | 公开（公告）日： | 2018-02-16 |
| 发明（设计）人： | 詹姆士·沃尔斯 | 申请（专利权）人： | 密克罗奇普技术公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 沈锦华 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提出CBRAM或ReRAM类型电阻式存储器单元，其包含顶部电极(106)；底部电极(102)，其具有伸长沟槽形状，界定一对间隔开的底部电极侧壁(110A、110B)；及电解质切换区(104)，其经布置以提供用于在将电压施加到所述单元时形成从所述底部电极侧壁的上部表面(116)到所述顶部电极的导电细丝或空位链(114)的路径。另外，存储器装置可包含此类电阻式存储器单元的二维阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 沟槽 底部 电极 电阻 存储器 单元 | ||
【主权项】：
一种电阻式存储器单元，其包括：顶部电极；底部电极结构，其在第一方向上延伸且具有沟槽形状且界定一对间隔开的底部电极侧壁；及电解质切换区，其布置于所述顶部电极与所述底部电极侧壁之间以提供用于在将电压偏置施加到所述电阻式存储器单元时形成从所述底部电极侧壁到所述顶部电极的导电细丝或空位链的路径，其中所述电解质切换区包括垂直于所述第一方向延伸且在所述电解质切换区与所述底部电极结构之间界定四个离散接触区域的沟槽形状区。
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