[发明专利]Ga2O3系单晶基板及其制造方法有效
| 申请号： | 201480010964.2 | 申请日： | 2014-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN105008597B | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木公平 | 申请（专利权）人： | 株式会社田村制作所 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 徐谦;刘宁军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种Ga2O3系单晶基板及其制造方法，该Ga2O3系单晶基板包括既抑制晶体质量的下降又具有高电阻之Ga2O3系单晶。根据本发明的一个实施方式，上述制造方法包括：将Fe添加至Ga2O3系原料中，培育含有比从上述Ga2O3系原料混入之施主杂质的浓度高的上述Fe之Ga2O3系单晶(5)；以及从Ga2O3系单晶(5)切出Ga2O3系单晶基板。 | ||
| 搜索关键词： | ga sub 系单晶基板 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种Ga2O3系单晶基板的制造方法，包括：为了提高上述Ga2O3系单晶基板的电阻值而将Fe添加至Ga2O3系原料中，培育含有比从上述Ga2O3系原料混入的施主杂质的浓度高的上述Fe的Ga2O3系单晶的步骤；以及从上述Ga2O3系单晶切出Ga2O3系单晶基板的步骤，上述施主杂质为Si，上述Fe的添加浓度为0.001mol％以上且0.05mol％以下。
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