[发明专利]Ga2O3系单晶基板及其制造方法

权利要求书

1.一种Ga₂O₃系单晶基板的制造方法，包括：

为了提高上述Ga₂O₃系单晶基板的电阻值而将Fe添加至Ga₂O₃系原料中，培育含有比从上述Ga₂O₃系原料混入的施主杂质的浓度高的上述Fe的Ga₂O₃系单晶的步骤；以及

从上述Ga₂O₃系单晶切出Ga₂O₃系单晶基板的步骤，

上述施主杂质为Si，上述Fe的添加浓度为0.001mol％以上且0.05mol％以下。

2.如权利要求1所述的Ga₂O₃系单晶基板的制造方法，其中，

上述Ga₂O₃系原料的纯度为99.999质量％，

培育含有浓度为5×10¹⁷cm^-3以上的上述Fe的Ga₂O₃系单晶。

3.如权利要求1所述的Ga₂O₃系单晶基板的制造方法，其中，

上述Ga₂O₃系原料的纯度为99.99质量％，

培育含有浓度为5×10¹⁸cm^-3以上的上述Fe的Ga₂O₃系单晶。

4.如权利要求1～3中任一项所述的Ga₂O₃系单晶基板的制造方法，其中，

上述Ga₂O₃系单晶基板的主面具有包含直径为10mm以上的正圆的大小与形状。

5.一种Ga₂O₃系单晶基板，由含有施主杂质和Fe的Ga₂O₃系单晶所构成，上述Fe的浓度比上述施主杂质的浓度高，上述Ga₂O₃系单晶基板被上述Fe提高了电阻值，其中，

上述施主杂质为Si，上述Fe的添加浓度为0.001mol％以上且0.05mol％以下。

6.如权利要求5所述的Ga₂O₃系单晶基板，

其具有包含直径为10mm以上的正圆的大小与形状的主面。