[发明专利]用于处理磁结构的工艺有效
| 申请号： | 201480010664.4 | 申请日： | 2014-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN105164828B | 公开（公告）日： | 2018-07-13 |
| 发明（设计）人： | 达菲内·拉维洛索纳 | 申请（专利权）人： | 国家科学研究中心;巴黎第十一大学 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;C23C18/50;H01F41/14 |
| 代理公司： | 上海天协和诚知识产权代理事务所 31216 | 代理人： | 童锡君 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 处理磁结构的工艺，其特征在于，包括以下步骤：提供(S10)包括至少一层含钴铁硼(CoFeB)合金的第一磁性材料层的磁结构；用低能轻离子辐射(S20)磁结构；以及用预设温度曲线和预设的时间来保持(S30)磁结构。 | ||
| 搜索关键词： | 磁结构 预设 磁性材料层 工艺处理 温度曲线 轻离子 含钴 铁硼 合金 辐射 | ||
【主权项】：
1.用于处理磁结构(100)的工艺，其特征在于，包括以下步骤：‑提供(S10)磁结构(100)，所述磁结构包括至少一层含有钴铁硼(CoFeB)合金的第一磁性材料层(102)，所述钴铁硼(CoFeB)合金沉积在衬底上；‑用低能轻离子辐射(S20)所述磁结构(100)，所发射的离子穿过层叠的磁性层，这些离子在层叠的磁性层中通过产生原子层间位移来改变局部结构，且深度渗入其上沉积层叠的各层的衬底(104)，在所述衬底内的深度为100nm至300nm之间；以及，‑用预设温度曲线和预设时间来同时保持(S30)磁结构(100)。
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