[发明专利]用于处理磁结构的工艺有效
| 申请号： | 201480010664.4 | 申请日： | 2014-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN105164828B | 公开（公告）日： | 2018-07-13 |
| 发明（设计）人： | 达菲内·拉维洛索纳 | 申请（专利权）人： | 国家科学研究中心;巴黎第十一大学 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;C23C18/50;H01F41/14 |
| 代理公司： | 上海天协和诚知识产权代理事务所 31216 | 代理人： | 童锡君 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磁结构 预设 磁性材料层 工艺处理 温度曲线 轻离子 含钴 铁硼 合金 辐射 | ||
1.用于处理磁结构(100)的工艺，其特征在于，包括以下步骤：
-提供(S10)磁结构(100)，所述磁结构包括至少一层含有钴铁硼(CoFeB)合金的第一磁性材料层(102)，所述钴铁硼(CoFeB)合金沉积在衬底上；
-用低能轻离子辐射(S20)所述磁结构(100)，所发射的离子穿过层叠的磁性层，这些离子在层叠的磁性层中通过产生原子层间位移来改变局部结构，且深度渗入其上沉积层叠的各层的衬底(104)，在所述衬底内的深度为100nm至300nm之间；以及，
-用预设温度曲线和预设时间来同时保持(S30)磁结构(100)。
2.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，所述预设温度小于或等于200℃。
3.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，所述预设温度介于20℃至200℃之间。
4.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，所述预设温度介于15℃至40℃之间。
5.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，所述预设时间小于或等于1小时。
6.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，所述磁性材料最初是非晶体的。
7.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，所述磁性材料最初是晶体的。
8.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，所述离子是He+、H+、Ar+、Xe+或Ga+离子。
9.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，所述离子的能量介于0.1keV至150keV之间。
10.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，在辐射步骤(S20)中，所述发射离子的剂量介于1x1013离子/cm2至5x1016离子/cm2之间。
11.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，在辐射步骤(S20)中，所述离子至少穿过所述第一磁性材料层(102)。
12.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，在辐射步骤(S20)中，所述离子通过掩模(112)内的贯通开口(114)轰击所述磁结构(100)。
13.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，所述磁结构(100)包括与所述第一磁性材料层(102)相接触的至少一层第二绝缘层(106)。
14.根据权利要求13所述的工艺，其特征在于，所述磁结构(100)包括层叠交替的所述第一磁性材料层(102)和所述第二绝缘层(106)。
15.磁结构(100)，至少包括：
-含有钴铁硼(CoFeB)合金的第一磁性材料层(102)；以及，
-衬底(104)，所述第一磁性材料层(102)设置在所述衬底上，并且所述衬底包含低能轻原子，所述低能轻原子深度渗入所述衬底(104)，在所述衬底内的深度为100nm至300nm之间。
16.根据权利要求15所述的磁结构(100)，具有大于或等于500mT的有效的各向异性场。
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