[发明专利]非晶层极紫外线光刻坯料及用于制造该坯料的方法与光刻系统有效
申请号: | 201480010492.0 | 申请日: | 2014-03-12 |
公开(公告)号: | CN105009255B | 公开(公告)日: | 2017-11-03 |
发明(设计)人: | 拉尔夫·霍夫曼;凯文·莫雷斯 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人: | 徐金国,赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种集成极紫外线坯料生产系统包括用于将基板置放在真空中的真空腔室;沉积系统,所述沉积系统用于沉积多层堆叠物而不从真空移除基板;以及处理系统,所述处理系统用于处理多层堆叠物上的层,所述层待沉积为非晶金属层。一种用于制造极紫外线掩模坯料的物理气相沉积腔室包括靶材,所述靶材包含与硼合金的钼。一种极紫外线光刻系统包括极紫外线光源;镜,所述镜用于导向来自所述极紫外线光源的光;中间掩模台,所述中间掩模台用于置放具有多层堆叠物的极紫外线掩模坯料,所述多层堆叠物具有非晶金属层;以及晶片台,所述晶片台用于置放晶片。一种极紫外线坯料包括基板;具有非晶金属层的多层堆叠物;以及位于所述多层堆叠物之上的覆盖层。 | ||
搜索关键词: | 非晶层极 紫外线 光刻 坯料 用于 制造 方法 系统 | ||
【主权项】:
一种集成极紫外线坯料生产系统,所述系统包含:真空腔室,所述真空腔室用于将基板置放于真空中;第一沉积系统,所述第一沉积系统用于沉积多层堆叠物,而不将所述基板从所述真空移除,所述多层堆叠物反射极紫外线光;处理系统,所述处理系统用于处理所述多层堆叠物上的层,所述层待沉积作为非晶金属层;以及第二沉积系统,所述第二沉积系统用于沉积额外层,以形成极紫外线掩模坯料,所述额外层包含覆盖层和位于所述覆盖层之上的吸收剂层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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