[发明专利]红外线传感器及其制造方法有效
| 申请号： | 201480010005.0 | 申请日： | 2014-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN105008877B | 公开（公告）日： | 2017-03-08 |
| 发明（设计）人： | 相田富实二;川井和哉;盐崎真良;仲田宏宪;田中纯一 | 申请（专利权）人： | 欧姆龙株式会社 |
| 主分类号： | G01J1/02 | 分类号： | G01J1/02;H01L35/32 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人： | 李辉,黄纶伟 |
| 地址： | 日本国京*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 红外线传感器的制造方法包括下述工序在第1区域上形成温差电堆支撑层的工序；在其上表面上形成温差电堆(24)的工序；然后，在第2区域上形成电路元件的工序；以覆盖所述第1和第2区域的方式形成上部层(41)的工序；将上部层(41)向下挖到中途的工序；通过进一步将上部层(41)向下挖而形成蚀刻孔(38)的工序；以及经过蚀刻孔(38)对半导体基板(1)的一部分进行蚀刻而使所述温差电堆支撑层和温差电堆(24)从半导体基板(1)悬起，由此形成传感器部(2)的工序。传感器部(2)的上表面(2u)位于比所述第2区域中的上部层(41u)的上表面低的位置。 | ||
| 搜索关键词： | 红外线 传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种红外线传感器的制造方法，其中，该红外线传感器的制造方法包括下述工序：在半导体基板的第1区域上形成温差电堆支撑层的工序，所述半导体基板在上表面具有有待作为传感器区域的所述第1区域和有待作为周边电路区域的第2区域；在所述温差电堆支撑层的上表面上形成温差电堆的工序；形成所述温差电堆的工序之后，在所述第2区域上形成电路元件的工序，其中所述电路元件是晶体管、电容器和电阻器中的任意元件；以覆盖所述第1区域和所述第2区域的方式形成上部层的工序；在所述第1区域将所述上部层向下挖到中途的工序；在将所述上部层向下挖到中途的区域中的一部分区域进一步将所述上部层向下挖，由此形成露出所述半导体基板的蚀刻孔的工序；以及经过所述蚀刻孔对所述第1区域处的所述半导体基板的一部分进行蚀刻而使所述温差电堆支撑层和所述温差电堆从所述半导体基板悬起，由此形成传感器部的工序，所述传感器部的上表面位于比所述第2区域中的所述上部层的上表面低的位置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于欧姆龙株式会社，未经欧姆龙株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201480010005.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于评价卵母细胞和胚胎的代谢成像方法
- 下一篇：热式空气流量计
